[发明专利]一种过压保护电路及主板的电源输入电路在审
| 申请号： | 202010072587.2 | 申请日： | 2020-01-21 |
| 公开（公告）号： | CN111193252A | 公开（公告）日： | 2020-05-22 |
| 发明（设计）人： | 汪涛 | 申请（专利权）人： | 深圳市英德斯电子有限公司 |
| 主分类号： | H02H11/00 | 分类号： | H02H11/00 |
| 代理公司： | 深圳市海盛达知识产权代理事务所(普通合伙) 44540 | 代理人： | 赵雪佳 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市福田区华强北街*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 保护 电路 主板 电源 输入 | ||
1.一种过压保护电路，其特征在于：其包括稳压芯片Q43和运算放大器U90，
所述稳压芯片Q43的控制极通过电阻与外部供电端VIN_L连接，所述稳压芯片Q43的正极接地，所述稳压芯片Q43的负极与稳压芯片Q43的控制极连接，所述稳压芯片Q43的控制极为2.5V电源端；
所述运算放大器U90的同向输入端通过电阻R362与外部供电端VIN_L连接，所述运算放大器U90的反向输入端与2.5V电源端连接，所述运算放大器Q43的同向输入端通过电阻R363接地，所述运算放大器U90的输出端与主板的电源输入电路连接，所述运算放大器U90的正电源端通过电阻R500与外部供电端VIN_L连接，所述运算放大器U90的负电源端接地。
2.根据权利要求1所述的过压保护电路，其特征在于：所述稳压芯片Q43的控制极通过电阻R361、电阻R312和电阻R495的并联电路与外部供电端VIN_L连接，所述稳压芯片Q43的控制极通过电容C339接地。
3.根据权利要求2所述的过压保护电路，其特征在于：所述稳压芯片Q43的型号为LM431。
4.根据权利要求3所述的过压保护电路，其特征在于：所述运算放大器U90为LM321标准运算放大器。
5.一种主板的电源输入电路，其特征在于：其与如权利要求1~4任意一项所述的过压保护电路连接；
所述主板的电源输入电路包括MOSFET管PQ62、肖特基二极管PD3、MOSFET管Q58，外部供电端VIN_L端分别与肖特基二极管PD3的3脚、电阻PR185的一端、电阻PR183的一端连接，所述肖特基二极管PD3的2脚和1脚与电阻PR185的另一端、电阻PR191的一端连接，所述电阻PR183的另一端与电阻PR191的另一端连接；
所述电阻PR185的另一端与MOSFET管Q58的G1端、D2端连接，所述MOSFET管Q58的S1端、S2端接地，MOSFET管Q58的G2端通过电阻R505与运算放大器U90的输出端连接，电阻R505通过电阻R504接地；MOSFET管Q58的D1端与电阻PR184的一端连接，电阻PR184的另一端与电阻PR194的一端、电容C994的一端、MOSFET管PQ62的G端连接，电阻PR194的另一端、电容C994的另一端与MOSFET管PQ62的S端连接，MOSFET管PQ62的D端连接与磁珠FB5和磁珠FB6的并联电路的一端连接，磁珠FB5和磁珠FB6的并联电路的另一端与主板的电源输入端连接，MOSFET管PQ62的D端还分别通过电容PC176、电容PC174接地。
6.根据权利要求5所述的主板的电源输入电路，其特征在于：所述MOSFET管PQ62的型号为NTMS4176R2G；所述肖特基二极管PD3的型号为BAT54RC；所述MOSFET管Q58的型号为L2N7002DWITIG。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳市英德斯电子有限公司，未经深圳市英德斯电子有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202010072587.2/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
