[发明专利]一种集成电容的低反向恢复电荷的横向二极管

权利要求书

1.一种集成电容的低反向恢复电荷的横向二极管，包括P型衬底(1)，P型衬底(1)上设有氧化层埋层(2)，在氧化层埋层(2)上设有N型漂移区(3)，在N型漂移区域(3)上设有P型体区(11)、第三场氧(15)以及N型缓冲区(18)，在P型体区(11)内设有作为阳极的P型重掺杂区(12)，在N型缓冲区(18)内设有作为阴极的第二N型重掺杂区(17)，所述第三场氧(15)位于P型重掺杂区(12)与第二N型重掺杂区(17)之间，其特征在于，在N型漂移区域(3)上设有P型轻掺杂区(4)和N型轻掺杂区(8)，并且，P型轻掺杂区(4)和N型轻掺杂区(8)位于P型体区(11)的外侧，N型轻掺杂区(8)位于P型体区(11)与P型轻掺杂区(4)之间，在N型轻掺杂区(8)内设有第一N型重掺杂区(7)，在第一N型重掺杂区(7)与P型重掺杂区(12)之间设有第二场氧(10)且位于N型漂移区(3)的上方，在N型轻掺杂区(8)上设有第一场氧(6)且所述第一场氧(6)延伸至P型轻掺杂区(4)上方，在P型轻掺杂区(4)、第一场氧(6)、第一N型重掺杂区(7)、第二场氧(10)、P型重掺杂区(12)、第三场氧(15)、第二N型重掺杂区(17)及N型缓冲区(18)上设有氧化层(19)，在氧化层(19)内设有第一多晶硅(5)和电容，第一多晶硅(5)位于P型轻掺杂区(4)的上方且第一多晶硅(5)与P型轻掺杂区(4)之间被氧化层隔离，所述电容由作为一个极板的第一金属铝(13)和作为另一个极板的第二金属铝(14)组成，第一金属铝(13)与第一N型重掺杂区(7)连接，第一多晶硅(5)，第二金属铝(14)和P型重掺杂区(12)连接。

2.如权利要求1所述的一种集成电容的低反向恢复电荷的横向二极管，其特征在于，在第二场氧(10)上方设有第二多晶硅(9)，所述第二金属铝(14)设在第二多晶硅(9)上。

3.如权利要求1所述的一种集成电容的低反向恢复电荷的横向二极管，其特征在于，在第三场氧(15)上方右端设有第三多晶硅(16)且第三多晶硅(16)与第二N型重掺杂区(17)连接。

4.如权利要求1所述的一种集成电容的低反向恢复电荷的横向二极管，其特征在于，第一金属铝(13)和第二金属铝(14)之间的距离d2为0.4μm～0.7μm。

5.如权利要求1所述的一种集成电容的低反向恢复电荷的横向二极管，其特征在于，P型轻掺杂区(4)和第一多晶硅(5)之间的距离d1为0.1μm～0.3μm，第一多晶硅(5)的横向尺寸L1为3μm～4μm。

6.如权利要求1所述的一种集成电容的低反向恢复电荷的横向二极管，其特征在于，第三多晶硅(16)的横向尺寸L2为1μm～4μm。