[发明专利]基于横磁模的硅基窄线宽高功率外腔激光器在审
| 申请号： | 202010073025.X | 申请日： | 2020-01-22 |
| 公开（公告）号： | CN111244758A | 公开（公告）日： | 2020-06-05 |
| 发明（设计）人： | 周林杰;赵瑞玲;郭宇耀;陆梁军;庞拂飞;陈建平 | 申请（专利权）人： | 上海交通大学 |
| 主分类号： | H01S5/14 | 分类号： | H01S5/14;H01S5/065 |
| 代理公司： | 上海恒慧知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31317 | 代理人： | 张宁展 |
| 地址： | 200240 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 基于 横磁模 硅基窄线宽高 功率 激光器 | ||
1.一种基于横磁模的硅基窄线宽高功率外腔激光器，其特征在于包括反射型半导体光放大器(101)、光斑尺寸转换器(102)、移相器(103)、第一微环滤波器(104)、第二微环滤波器(105)、萨格纳克反射镜(106)、模式转换器(107)；所述反射型半导体光放大器(101)的输出端与所述的光斑尺寸转换器(102)的输入端相连，所述的光斑尺寸转换器(102)的输出端与所述的移相器(103)的一端相连，所述的移相器(103)的另一端与所述的第一微环滤波器(104)相连、第二微环滤波器(105)与第一微环滤波器(104)耦合。所述的第一微环滤波器(104)和第二微环滤波器(105)大小略有不同，形成游标滤波效应，第二微环滤波器与可调萨格纳克反射镜(106)的一个端口波导相耦合，萨格纳克反射镜的另一端口即为激光出射端，该激光出射端再与所述的模式转换器(107)相连，将模式从横磁模转换成横电模，该模式转换器(107)的输出端可以串接任意横电模处理器件。
2.如权利要求1所述的基于横磁模的硅基窄线宽高功率外腔激光器，其特征在于：所述的反射型半导体光放大器(101)的一端具有高反射率(反射率≥90％),另一端具有低反射率(反射率≤0.005％)，所述的低反射率端即反射型半导体光放大器(101)的输出端；所述的反射型半导体光放大器(101)的增益波长处于通信波段，可以用III-V量子阱或量子点材料实现。
3.如权利要求1所述的基于横磁模的硅基窄线宽高功率外腔激光器，其特征在于，所述的光斑尺寸转换器(102)采用倒锥耦合器或悬空波导耦合器实现。
4.如权利要求1所述的基于横磁模的硅基窄线宽高功率外腔激光器，其特征在于，所述的移相器(103)采用热光移相器或电光移相器。
5.如权利要求1所述的基于横磁模的硅基窄线宽高功率外腔激光器，其特征在于：所述的萨格纳克反射镜(106)由马赫-曾德尔干涉器和U型波导构成，马赫-曾德尔干涉器的一臂上有移相器，输入耦合器和输出耦合器的耦合比均为50：50。
6.如权利要求1所述的基于横磁模的硅基窄线宽高功率外腔激光器，其特征在于：除反射型半导体光放大器外，其余部件都可由硅波导实现，且均支持横磁模传输，反射型半导体光放大器和硅芯片可以通过对接耦合进行对准。
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