[发明专利]涂胶曝光显影测量一体化装置及涂胶曝光显影测量方法在审
申请号: | 202010073058.4 | 申请日: | 2020-01-22 |
公开(公告)号: | CN113156768A | 公开(公告)日: | 2021-07-23 |
发明(设计)人: | 王维斌;李龙祥;林正忠;陈明志;严成勉 | 申请(专利权)人: | 盛合晶微半导体(江阴)有限公司 |
主分类号: | G03F7/16 | 分类号: | G03F7/16;G03F7/20;G03F7/26;G03F7/30 |
代理公司: | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人: | 余明伟 |
地址: | 214437 江苏省无锡市江阴市*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 涂胶 曝光 显影 测量 一体化 装置 测量方法 | ||
1.一种涂胶曝光显影测量一体化装置,其特征在于,至少包括:
主腔体,包括涂胶室、曝光室、显影室、测量室;所述涂胶室用于执行涂胶工序,所述曝光室用于执行曝光工序,所述显影室用于执行显影工序,所述测量室用于测量关键尺寸;
晶圆卸载台,用于放置加工完成的晶圆,位于所述主腔体的出口处;
机械手臂,用于晶圆的夹取与传送;
控制单元,控制所述涂胶曝光显影测量一体化装置的运行。
2.根据权利要求1所述的涂胶曝光显影测量一体化装置,其特征在于,所述主腔体内的涂胶室、曝光室、显影室以及测量室呈线性依次排布。
3.根据权利要求2所述的涂胶曝光显影测量一体化装置,其特征在于,所述主腔体内还包括气体缓冲室,位于所述主腔体内的各腔室之间。
4.根据权利要求1所述的涂胶曝光显影测量一体化装置,其特征在于,所述主腔体内的涂胶室、曝光室、显影室以及测量室呈环形按顺时针或逆时针依次排布。
5.根据权利要求4所述的涂胶曝光显影测量一体化装置,其特征在于,所述主腔体内包括气体缓冲室,位于所述主腔体内各腔室之间。
6.根据权利要求3或5所述的涂胶曝光显影测量一体化装置,其特征在于,所述气体缓冲室包括位于所述涂胶室与所述曝光室之间的第一气体缓冲室以及位于所述曝光室与所述显影室之间的第二气体缓冲室,分别用于吹扫涂胶后残留于所述晶圆上的有害气体与曝光后残留于所述晶圆上的有害气体。
7.根据权利要求6所述的涂胶曝光显影测量一体化装置,其特征在于,所述机械手臂包括设置于所述第一气体缓冲室内的第一机械手臂、设置于所述第二气体缓冲室内的第二机械手臂以及设置于所述测量室内的第三机械手臂。
8.根据权利要求6所述的涂胶曝光显影测量一体化装置,其特征在于,还包括一设置于所述测量室与所述涂胶室之间的第四机械手臂,用于将测量后的不合格晶圆返回至所述涂胶室。
9.根据权利要求4所述的涂胶曝光显影测量一体化装置,其特征在于,所述气体缓冲室包括位于所述涂胶室、曝光室、显影室以及测量室围绕的环形中间的中心气体缓冲室,用于吹扫涂胶后残留于所述晶圆上的有害气体与曝光后残留于所述晶圆上的有害气体。
10.根据权利要求9所述的涂胶曝光显影测量一体化装置,其特征在于,所述机械手臂设于所述中心气体缓冲室内,用于晶圆的夹取与传送。
11.一种如权利要求1~10任意一项所述的涂胶曝光显影测量一体化装置的涂胶曝光显影测量方法,其特征在于,包括以下步骤:
1)将晶圆放置于所述涂胶室的晶圆承载台上;
2)将光刻胶均匀涂覆至所述晶圆表面,执行涂胶;
3)将涂胶后的晶圆传送至所述曝光室,执行曝光;
4)将曝光后的晶圆传送至所述显影室,执行显影;
5)将显影后的晶圆传送至测量室,进行关键尺寸测量,
6)测量后合格的晶圆将卸载至晶圆卸载台上,以进行后续工艺;测量后不合格的晶圆将返回至所述涂胶室,重新进入涂胶曝光显影测量工艺流程。
12.根据权利要求11所述的涂胶曝光显影测量方法,其特征在于,还包括步骤2)之后将所述晶圆传送至气体缓冲室进行吹扫的步骤,以及步骤3)之后将所述晶圆传送至气体缓冲室进行吹扫的步骤。
13.根据权利要求11所述的涂胶曝光显影测量一体化装置的涂胶曝光显影测量方法,其特征在于,所述步骤6)依次通过位于所述测量室内的第三机械手臂、位于所述第二气体缓冲室内的第二机械手臂以及位于所述第一气体缓冲室内第一机械手臂将不合格的晶圆传送至涂胶室。
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