[发明专利]硅基液晶的驱动方法、相位调节装置、驱动设备和芯片有效

专利信息
申请号: 202010073129.0 申请日: 2020-01-22
公开(公告)号: CN113156675B 公开(公告)日: 2023-04-11
发明(设计)人: 常泽山;宗良佳;毛磊 申请(专利权)人: 华为技术有限公司
主分类号: G02F1/133 分类号: G02F1/133;G02F1/1343;G09G3/36
代理公司: 广州三环专利商标代理有限公司 44202 代理人: 李稷芳
地址: 518129 广东*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 液晶 驱动 方法 相位 调节 装置 设备 芯片
【权利要求书】:

1.一种硅基液晶的驱动方法,所述硅基液晶上有光束射入并形成至少一个光斑,其特征在于,所述方法包括:

在所述光斑上的至少一个第一区域上加载第一电压使所述第一区域的相位调制深度为第一调制深度,在所述光斑上至少一个第二区域上加载第二电压使所述第二区域的相位调制深度为第二调制深度,所述第二调制深度大于所述第一调制深度,所述第一调制深度和第二调制深度用于对入射到硅基液晶的光束进行相位调制;每两个相邻的所述第二区域之间有一个或多个所述第一区域。

2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述在所述光斑上的所述至少一个第一区域上加载第一电压使所述第一区域的相位调制深度为第一调制深度,包括:

在所述光斑上的所述至少一个第一区域对应的第一电极和第二电极之间加载所述第一电压使所述第一区域的相位调制深度为所述第一调制深度,所述第一电极和所述第二电极之间有液晶层;

所述在所述光斑上所述至少一个第二区域上加载第二电压使所述第二区域的相位调制深度为第二调制深度,包括:

在所述光斑上的所述至少一个第二区域对应的第三电极和第四电极之间加载所述第二电压使所述第二区域的相位调制深度为所述第二调制深度,所述第三电极和所述第四电极之间有液晶层。

3.根据权利要求1或2所述的方法,其特征在于,所述第一调制深度为2π,所述第二调制深度为4π。

4.一种相位调制装置,所述相位调制装置包括硅基液晶和驱动电路,所述硅基液晶上有光束射入并形成至少一个光斑,其特征在于,

所述驱动电路用于在所述光斑上的至少一个第一区域加载第一电压使所述第一区域的相位调制深度为第一调制深度;

所述驱动电路还用于在所述光斑上至少一个第二区域加载第二电压使所述第二区域的相位调制深度为第二调制深度,所述光斑包括所述至少一个第一区域和所述至少一个第二区域,所述第二调制深度大于所述第一调制深度,所述第一调制深度和第二调制深度用于对所述光束进行相位调制;每两个相邻的所述第二区域之间有一个或多个所述第一区域。

5.根据权利要求4所述的装置,其特征在于,所述驱动电路包括第一电极和第二电极,

所述驱动电路用于在所述光斑上的所述至少一个第一区域加载第一电压使所述第一区域的相位调制深度为第一调制深度,具体包括:

在所述光斑上的所述至少一个第一区域上对应的所述第一电极和所述第二电极之间加载所述第一电压使所述第一区域的相位调制深度为所述第一调制深度,所述第一电极和所述第二电极之间有液晶层,所述液晶层位于所述硅基液晶上。

6.一种硅基液晶的驱动设备,所述硅基液晶上有光束射入并形成至少一个光斑,其特征在于,包括:通信接口以及耦合到所述通信接口的处理器;

所述处理器用于:

在所述光斑上的至少一个第一区域上加载第一电压使所述第一区域的相位调制深度为第一调制深度,在所述光斑上至少一个第二区域上加载第二电压使所述第二区域的相位调制深度为第二调制深度所述第二调制深度大于所述第一调制深度,所述第一调制深度和第二调制深度用于对入射到硅基液晶的光束进行相位调制;每两个相邻的所述第二区域之间有一个或多个所述第一区域。

7.一种包含硅基液晶的芯片,所述硅基液晶上有光束射入并形成至少一个光斑,其特征在于,所述芯片包括存储器和处理器,所述存储器存储有计算机程序指令,所述处理器用于所述计算机程序指令以使所述芯片执行权利要求1至3中任意一种所述方法。

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