[发明专利]一种薄膜制备组件、薄膜制备方法及其应用有效
申请号: | 202010073147.9 | 申请日: | 2020-01-22 |
公开(公告)号: | CN113151785B | 公开(公告)日: | 2022-02-08 |
发明(设计)人: | 王衍斌;李朝阳;易泰民;何智兵;黄勇 | 申请(专利权)人: | 中国工程物理研究院激光聚变研究中心 |
主分类号: | C23C14/22 | 分类号: | C23C14/22;C23C14/50;C23C14/54 |
代理公司: | 中国工程物理研究院专利中心 51210 | 代理人: | 翟长明;韩志英 |
地址: | 621999 四*** | 国省代码: | 四川;51 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 薄膜 制备 组件 方法 及其 应用 | ||
1.一种薄膜制备组件,其特征在于,该薄膜制备组件包含半导体制冷球冠碗(1)、热沉单元(2)、电机(3);其连接关系是,电机(3)安装在热沉单元(2)上,半导体制冷球冠碗(1)安装在电机(3)的轴端;所述的热沉单元(2)包括上半部分、下半部分及中间部分,其中,上半部分设有与半导体制冷球冠碗(1)相匹配的凹坑,下半部分设置为倾斜坡面,中间部分为导热垫片。
2.根据权利要求1所述的薄膜制备组件,其特征在于,所述的半导体制冷球冠碗(1)与热沉单元(2)的凹坑光滑接触。
3.一种基于权利要求1或2所述的薄膜制备组件的薄膜制备方法,其特征在于,该方法包括如下步骤:
(a)将带有球形衬底的制备组件放入真空镀膜设备的样品台上;
(b)将真空腔抽真空;
(c)制备组件通电,并设定制备组件中球冠碗的温度及旋转速度;
(d)通入薄膜原材料,直至球形薄膜成型。
4.根据权利要求3所述的薄膜制备方法,其特征在于,步骤(c)中所述的温度为-50℃~50℃、旋转速度低于10r/s。
5.一种基于权利要求1或2所述的薄膜制备组件或基于权利要求3或4所述的薄膜制备方法制备的薄膜的应用,其特征在于,所述的薄膜用于激光聚变研究实验用的靶壳层。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国工程物理研究院激光聚变研究中心,未经中国工程物理研究院激光聚变研究中心许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202010073147.9/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类