[发明专利]槽式湿法刻蚀装置

说明书

一种槽式湿法刻蚀装置包括：工艺槽，至少一个酸液供应罐，连接管道和支撑部件，其中，所述工艺槽的位置低于酸液供应罐的位置，所述酸液供应罐通过连接管道与所述工艺槽连通，所述连接管道至少包括连接的横向管道和纵向管道，所述横向管道的入口端与所述酸液供应罐连接，所述纵向管道的出口端与所述工艺槽连接，所述酸液供应罐用于存储酸液以及将存储的酸液通过连接管道供应到工艺槽中，所述工艺槽用于将所述酸液供应罐供应的酸液稀释或者将供应的多种酸液混合，以进行刻蚀工艺；所述支撑部件与所述横向管道接触，用于使得所述横向管道保持水平。本发明槽式湿法刻蚀装置保证每次换酸后酸的浓度能保持稳定。

技术领域

本发明涉及半导体领域，尤其涉及一种槽式湿法刻蚀装置。

背景技术

刻蚀工艺是按照掩模图形或设计要求对半导体衬底表面或表面覆盖的薄膜进行选择性腐蚀或剥离的工艺。刻蚀工艺不仅是半导体器件和集成电路的基本制造工艺，而且还应用于薄膜电路、印刷电路和其他微细图形的加工。

目前，最主要的刻蚀方法有两种：湿法刻蚀和干法等离子刻蚀。在湿法刻蚀中，刻蚀剂是液态化学混合物，它与晶圆衬底发生化学反应，产生可溶性物质，从而溶解于溶液中，例如，用含有氢氟酸的溶液刻蚀二氧化硅薄膜，用磷酸刻蚀铝薄膜等。槽式湿法刻蚀设备作为湿法刻蚀工艺的主要设备，通常将晶圆放置于槽式刻蚀设备的酸槽或工艺槽中，利用酸槽或工艺槽的刻蚀溶液或酸液浸没晶圆一段特定的时间，便可刻蚀去除晶圆上不需要的材料层。

现有通常通过专门的酸液供应装置向酸槽或工艺槽供应酸液，以在酸槽或工艺槽中形成稀释的氢氟酸为例，通过一酸液供应罐将一定体积的未稀释的氢氟酸(比如摩尔浓度为49％的氢氟酸)供入酸槽或工艺槽，同时通过一纯水供应装置将一定体积的纯水供入酸槽或工艺槽，两者混合，在酸槽或工艺槽形成稀释的氢氟酸。

但是前述在酸槽或工艺槽形成稀释的氢氟酸的方式，容易使得形成的氢氟酸的浓度偏低或偏高，不利于刻蚀工艺的进行，并且为了消除浓度报警费时费力。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是怎样提高晶圆翘曲度监测的准确性。

本发明提供了一种槽式湿法刻蚀装置，包括：工艺槽，至少一个酸液供应罐，连接管道和支撑部件，其中，

所述工艺槽的位置低于酸液供应罐的位置，所述酸液供应罐通过连接管道与所述工艺槽连通，所述连接管道至少包括连接的横向管道和纵向管道，所述横向管道的入口端与所述酸液供应罐连接，所述纵向管道的出口端与所述工艺槽连接，所述酸液供应罐用于存储酸液以及将存储的酸液通过连接管道供应到工艺槽中，所述工艺槽用于将所述酸液供应罐供应的酸液稀释或者将供应的多种酸液混合，以进行刻蚀工艺；

所述支撑部件与所述横向管道接触，用于使得所述横向管道保持水平。

可选的，所述横向管道包括入口端和出口端，所述纵向管道包括入口端和出口端，所述横向管道的入口端与酸液供应罐连接，所述横向管道的出口端与纵向管道的入口端连接，所述横向管道从入口端向出口端的方向向上倾斜，所述支撑部件与所述横向管道接触，通过支撑部件减小横向管道向上倾斜的角度，使得所述横向管道保持水平。

可选的，所述工艺槽的顶部具有顶部基座，所述纵向管道穿过顶部基座向工艺槽中工艺酸液。

可选的，所述支撑部件为支撑件，所述支撑件的一端与横向管道固定连接，所述支撑件的另一端与所述顶部基座固定连接。

可选的，所述支撑部件为悬挂件，所述悬挂件的一端与横向管道固定连接，所述悬挂件的另一端与所述酸液供应罐的外壁固定连接。

可选的，所述支撑部件与所述横向管道固定的位置与所述酸液供应罐的距离小于所述横向管道总长度的1/2。

可选的，所述支撑部件与所述横向管道固定的位置与所述酸液供应罐的距离为所述横向管道总长度的1/4-1/3。