[发明专利]堆叠状的多结太阳能电池

权利要求书

1.一种堆叠状的多结太阳能电池(MS)，其具有

第一子电池(TZ1)和第二子电池(TZ2)，所述第一子电池具有上侧和下侧，其中，所述第一子电池(TZ1)构造成最上方的子电池，从而入射光(L)首先照射到所述第一子电池(TZ1)的上侧上并且然后通过所述下侧照射到所述第二子电池(TZ2)上，

第一隧道二极管(TD1)，所述第一隧道二极管布置在所述第一子电池(TZ1)的下侧和所述第二子电池(TZ2)之间，

窗口层(FS1)，其中，所述窗口层布置在所述第一子电池(TZ1)的上侧上，并且所述窗口层(FS1)的带隙大于所述第一子电池(TZ1)的带隙，

彼此间隔开的至少两个金属指(M1)，其中，在所述金属指(M1)以下并且在所述窗口层(FS1)以上布置有覆盖层(AB)，

在所述覆盖层(AB)以下并且在所述窗口层(FS1)以上布置有附加层(FS2)，其中，

所述附加层(FS2)的厚度小于所述窗口层(FS1)的厚度，并且所述附加层(FS2)的带隙小于所述窗口层(FS1)的带隙，

所述窗口层(FS1)和所述附加层(FS2)具有相同的元素，

其特征在于，

所述金属指(M1)之间的所述附加层(FS2)的厚度小于所述金属指(M1)以下的所述附加层(FS2)的厚度，

所述窗口层(FS1)和所述附加层(FS2)分别包括至少具有元素In、Al、P的化合物或由InAlP组成，并且相比于所述窗口层(FS1)，所述附加层(FS2)具有更高的In浓度和更低的Al浓度。

2.根据权利要求1所述的堆叠状的多结太阳能电池(MS)，其特征在于，所述附加层(FS2)的晶格常数大于所述窗口层(FS1)的晶格常数，并且所述窗口层(FS1)的晶格常数小于所述第一子电池(TZ1)的晶格常数。

3.根据权利要求1或2所述的堆叠状的多结太阳能电池(MS)，其特征在于，所述附加层(FS2)包括至少具有元素In、P的化合物或由InP组成。

4.根据权利要求1或2所述的堆叠状的多结太阳能电池(MS)，其特征在于，在所述金属指(M1)之间完全地或至少部分地缺失所述覆盖层(AB)。

5.根据权利要求1或2所述的堆叠状的多结太阳能电池(MS)，其特征在于，所述覆盖层(AB)包括至少具有元素Ga、As的化合物或至少具有元素In、Ga、As的化合物，或所述覆盖层(AB)由GaAs或InGaAs组成。

6.根据权利要求1或2所述的堆叠状的多结太阳能电池(MS)，其特征在于，所述覆盖层(AB)的厚度位于30nm与1μm之间的范围内，或者所述覆盖层(AB)的厚度位于250nm与500nm之间的范围内，或者所述覆盖层(AB)的厚度为300nm。

7.根据权利要求1或2所述的堆叠状的多结太阳能电池(MS)，其特征在于，与所述窗口层(FS1)相比，所述附加层(FS2)相对于由柠檬酸、过氧化氢和水组成的蚀刻溶液具有较低的湿法化学蚀刻率。

8.根据权利要求1或2所述的堆叠状的多结太阳能电池(MS)，其特征在于，所述附加层(FS2)具有厚度，并且所述附加层(FS2)的厚度位于0.1nm与5nm之间的范围内，或所述附加层(FS2)的厚度位于0.5nm与1.2nm之间的范围内，或所述附加层(FS2)的厚度恰好为0.7nm。

9.根据权利要求1或2所述的堆叠状的多结太阳能电池(MS)，其特征在于，所述窗口层(FS1)具有厚度，并且所述窗口层(FS1)的厚度位于10nm与25nm之间的范围内，或所述窗口层(FS1)的厚度位于14nm与20nm之间的范围内，或者所述窗口层(FS1)的厚度位于15nm与17nm之间的范围内，或所述窗口层(FS1)的厚度为15nm。