[发明专利]一种MEMS压电装置的批量加工方法

权利要求书

1.一种MEMS压电装置的批量加工方法，所述的MEMS压电装置包括PZT立柱(8)和设于所述的PZT立柱(8)上的Si层；

其特征在于，包括以下步骤：

取一PZT基板(7)和Si基板(6)，在所述的Si基板(6)上加工出定位刀口(1)，并将PZT基板(7)加工成固定于所述的Si基板(6)上的PZT立柱；所述的Si基板(6)相对位置的边部上的定位刀口(1)的连线构成切割路径(2)，横向和纵向的切割路径(2)构成PZT立柱边缘形状；

取一与所述的Si基板(6)形状大小相同的Si晶片(3)，在所述的Si晶片(3)的边部加工出定位刀口(1)，所述的Si晶片(3)键合连接于所述的PZT立柱上得到中间产品，并且位于Si晶片(3)上的定位刀口(1)与位于Si基板(6)的定位刀口(1)上下对齐；

通过切割工艺切割所述Si晶片(3)，得到覆盖于所述PZT立柱(8)上的Si层。

2.根据权利要求1所述的一种MEMS压电装置的批量加工方法，其特征在于，所述的定位刀口(1)为三角形的定位刀口(1)，位于相对位置的三角形的顶点连线构成所述的切割路径(2)。

3.根据权利要求1所述的一种MEMS压电装置的批量加工方法，其特征在于，所述的PZT立柱(8)的截面形状为矩形，每块PZT基板(7)上加工出呈矩阵排列的若干个PZT立柱(8)。

4.根据权利要求3所述的一种MEMS压电装置的批量加工方法，其特征在于，将若干个所述的中间产品通过所述的定位刀口(1)在横向和纵向上对齐放置于切割平台(9)上，然后通过切割工艺一次完成若干个中间产品的切割。

5.根据权利要求1所述的一种MEMS压电装置的批量加工方法，其特征在于，所述的Si晶片(3)与PZT基板(7)在500～600℃、740～780[mbar]压力的条件下通过金键合连接。

6.根据权利要求1所述的一种MEMS压电装置的批量加工方法，其特征在于，所述的切割工艺采用激光切割。

7.根据权利要求6所述的一种MEMS压电装置的批量加工方法，其特征在于，所述的Si晶片(3)厚度为0.2～0.3mm；所述的激光切割过程中激光功率为14～16mj，切割速度为20～25μm/s，辅助气体为氮气。

8.根据权利要求1所述的一种MEMS压电装置的批量加工方法，其特征在于，所述的PZT基板(7)和Si晶片(3)上的定位刀口(1)通过光刻法、电感耦合等离子体-反应离子刻蚀法加工得到，并且在光刻过程中，加工Si基板(6)和Si晶片(3)时采用的掩膜版相同。