[发明专利]半导体装置及半导体模块

权利要求书

1.一种半导体装置，具备：

第1电极；

第2电极；

第1导电型的第1半导体层，设置于上述第1电极与上述第2电极之间；

第2导电型的第2半导体层，设置于上述第1电极与上述第1半导体层之间；

第1导电型的第3半导体层，设置于上述第1电极与上述第2半导体层之间；

第2导电型的第4半导体层，设置于上述第1电极与上述第3半导体层之间；

第1导电型的第5半导体层，设置于上述第1电极与上述第3半导体层之间；

多个第1绝缘膜，与上述第1电极及上述第4半导体层接触，在从上述第1电极朝向上述第2电极的第1方向上延伸，在与上述第1方向相交的第2方向上相邻；

第3电极，设置于上述第1绝缘膜之中；

第2绝缘膜，从与上述第1电极接触的位置起在第1方向上延伸，在上述第2方向上互相间隔第1宽度地被设置多个，从上述第1电极侧的端部到上述第2电极侧的端部为止的高度为大于上述第1宽度的第1高度；以及

第4电极，设置于上述第2绝缘膜之中。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

上述第1宽度除以上述第1高度而得到的值为0.2以下。

3.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其中，

还具有第6半导体层，该第6半导体层具有比上述第2半导体层高的第2导电型的载流子浓度，

上述第6半导体层位于上述第2半导体层与上述第3半导体层之间，并且在上述第2方向上，位于上述第1绝缘膜与上述第2绝缘膜之间。

4.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其中，

上述第1绝缘膜在上述第2方向上、2个以上连续地排列。

5.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其中，还具有：

第3绝缘膜，从与上述第1电极接触的位置起在上述第1方向上延伸；及

第5电极，设置于上述第3绝缘膜之中，与上述第1电极电连接。

6.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其中，还具有：

第4绝缘膜，设置于在相邻的上述第2绝缘膜之间形成的上述第2半导体层与上述第1电极之间。

7.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其中，

上述第2半导体层在相邻的上述第2绝缘膜之间，与上述第1电极接触，

上述第1电极用包含Al、Ta、Ag、Mo、W、Co、Cr、Ru、Au、Pd、Ni、Pt中的至少1种的材料构成。

8.一种半导体模块，具有：

电压控制电路，能够以互相不同的定时控制上述第3电极的电压和上述第4电极的电压；以及

权利要求1至7中任一项所述的半导体装置。

9.根据权利要求8所述的半导体模块，其中，

在上述第4电极的电压切换起经过了规定的时间后，切换上述第3电极的电压。