[发明专利]透明导电性薄膜在审
| 申请号： | 202010075277.6 | 申请日： | 2020-01-22 |
| 公开（公告）号： | CN111508641A | 公开（公告）日： | 2020-08-07 |
| 发明（设计）人： | 梶原大辅;藤野望 | 申请（专利权）人： | 日东电工株式会社 |
| 主分类号： | H01B5/14 | 分类号： | H01B5/14;H01B1/08 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇;李茂家 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 透明 导电性 薄膜 | ||
【权利要求书】：
1.一种透明导电性薄膜，其特征在于，具备：透明基材、和配置于透明基材的厚度方向一侧的非晶质透明导电层，
所述透明基材含有环烯烃系树脂，
所述非晶质透明导电层能转化为结晶质，
所述非晶质透明导电层的霍尔迁移率超过25.0(cm2/V·s)，
将所述非晶质透明导电层结晶转化后的结晶质透明导电层的霍尔迁移率比所述非晶质透明导电层的霍尔迁移率大。
2.根据权利要求1所述的透明导电性薄膜，其特征在于，所述结晶质透明导电层的载流子密度不足90.0×1019(/cm3)。
3.根据权利要求1或2所述的透明导电性薄膜，其特征在于，所述非晶质透明导电层含有铟系无机氧化物。
4.根据权利要求3所述的透明导电性薄膜，其特征在于，所述非晶质透明导电层在厚度方向具备：杂质无机元素相对于铟的质量比为0.05以上的第1区域、和杂质无机元素相对于铟的质量比不足0.05的第2区域。
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