[发明专利]基板处理装置和基板处理方法

说明书

本发明提供一种基板处理装置，能够使基板的中心与处理台的轴心高精度地对准，而防止产生不良基板。基板处理装置具备：偏心检测机构(54)，该偏心检测机构取得定心台(10)所保持的基板(W)的中心相对于定心台(10)的轴心(C1)的偏心量和偏心方向；以及对准器(36、41、75)，该对准器使基板W的中心与处理台(20)的轴心(C2)对准。对准器(36、41、75)在将基板W从定心台(10)交接到处理台(20)之后，使用偏心检测机构(54)而取得基板(W)的中心相对于处理台(20)的轴心(C2)的偏心量和偏心方向，并且该对准器确认所取得的基板(W)的中心相对于处理台(20)的轴心(C2)的偏心量处于规定的允许范围内。

技术领域

本发明涉及能够应用于对晶片等基板的周缘部进行研磨的研磨装置和研磨方法等的基板处理装置和基板处理方法。

背景技术

作为用于对晶片等基板的周缘部进行研磨的装置，使用具备研磨带、磨石等的研磨工具的研磨装置。图35是表示该类型的研磨装置的示意图。如图35所示，研磨装置具备：基板工作台210，该基板工作台通过真空吸引来保持晶片W的中心部，使晶片W旋转；以及研磨头205，该研磨头将研磨工具200向晶片W的周缘部按压。晶片W与基板工作台210一同旋转，在研磨工具200的下表面(研磨面)与晶片W的表面平行的状态下，研磨头205通过将研磨工具200向下方朝向晶片W的周缘部按压而对晶片W的周缘部进行研磨。作为研磨工具200，使用研磨带或者磨石。

如图36所示，由研磨工具200研磨的晶片W的部位的宽度(以下，将其称为研磨宽度)由研磨工具200相对于晶片W的相对的位置确定。通常，研磨宽度距晶片W的最外周端几毫米。为了以恒定的研磨宽度来研磨晶片W的周缘部，需要使晶片W的中心与基板工作台210的轴心对准。

因此，以往的研磨装置具备：用于进行晶片W的定心的定心台、用于研磨晶片W的处理台、以及使晶片W的中心与处理台的轴心对准的处理台(例如，参照专利文献1和专利文献2)。

专利文献1所记载的对准器由偏心检测部、定心台旋转机构以及移动机构构成，该偏心检测部对定心台所保持的晶片W的中心相对于定心台的轴心的偏心量和偏心方向(晶片W的最大偏心点)进行测定，该定心台旋转机构使定心台以其轴心为中心进行旋转，该移动机构使定心台相对于处理台相对地水平移动。

在该研磨装置中，最初，在使处理台的轴心与定心台的轴心一致的状态下，使定心台移动到比处理台高的上升位置。然后，使定心台保持晶片W，并且通过定心台旋转机构而使定心台和晶片W旋转。偏心检测部在使晶片W旋转的期间，确定晶片W的中心相对于定心台的轴心的偏心量和晶片W的最大偏心点。

接下来，定心台旋转机构使定心台和晶片W旋转，直到将最大偏心点和定心台的轴心连结的直线与移动机构的规定的偏置轴一致为止。接着，移动机构使定心台和该定心台所保持的晶片W沿着偏置轴移动了与偏心检测部所测定的偏心量相当的距离。由此，能够使晶片W的中心与处理台的中心对准。最后，使定心台沿铅垂方向下降，而将晶片W从定心台交接到处理台，对处理台所保持的晶片W的周缘部进行研磨。

专利文献2所记载的对准器在定心台的轴心与处理台的轴心不一致的条件下进行晶片W的定心。该对准器最初取得定心台的轴心相对于处理台的轴心的初始相对位置。对准器基于该初始相对位置、基板的中心相对于定心台的轴心的偏心量和偏心方向而计算应该使定心台移动的距离和应该使定心台旋转的角度，使定心台移动和旋转了计算出的距离和角度。由此，在定心台的轴心与处理台的轴心不一致的条件下，也能够使晶片W的中心与处理台的中心对准。

专利文献1：日本特许第6113624号公报

专利文献2：日本特开2016-201535号公报