[发明专利]下采样锁相环SS-PLL锁定获取的自动搜索的装置和方法

权利要求书

1.一种装置，包括：

锁相环PLL，被配置为生成参考信号；

下采样锁相环SS-PLL，连接到所述PLL并被配置为对所述参考信号进行下采样；以及

第一预充电电路，连接到所述SS-PLL的采样设备并被配置为允许所述SS-PLL的输出电压转变为工作电压，以指示两个电压输入之间的差平均为零。

2.根据权利要求1所述的装置，其中，所述第一预充电电路将所述SS-PLL连接到第一电源电压VDD。

3.根据权利要求1所述的装置，其中，所述第一预充电电路将所述SS-PLL连接到地电位。

4.根据权利要求2所述的装置，还包括：第二预充电电路，连接在所述SS-PLL的采样设备和小于所述第一电源电压VDD的第二电源电压之间。

5.根据权利要求1所述的装置，其中，所述SS-PLL包括：

压控振荡器VCO，被配置为生成本地振荡LO信号；

所述采样设备，连接到所述VCO和所述PLL，并被配置为输出所述LO信号和所述参考信号之间的差；

跨导g_m级器件，连接到所述采样设备并被配置为生成用于改变所述LO信号的频率的输出；以及

低通滤波器，连接到所述g_m级。

6.根据权利要求1所述的装置，还包括：连接到VCO的粗定时器。

7.根据权利要求5所述的装置，其中，所述g_m级器件包括：

电流源，其包括连接到电源电压VDD的第一端子和第二端子；

第一p沟道金属氧化物半导体场效应晶体管PMOSFET，其包括漏极、连接到采样设备的第一输出的栅极和连接到电流源的第二端子的源极；

第二PMOSFET，其包括漏极、连接到采样设备的第二输出的栅极和连接到电流源的第二端子的源极；

第一n沟道金属氧化物半导体场效应晶体管NMOSFET，其包括连接到第一PMOSFET的漏极的漏极、连接到第一PMOSFET的漏极的栅极和连接到地电位的源极；以及

第二NMOSFET，其包括连接到第二PMOSFET的漏极的漏极、连接到第一NMOSFET的栅极的栅极和连接到地电位的源极。

8.根据权利要求5所述的装置，其中，所述g_m级器件包括：

电流源，其包括连接到地电位的第一端子和第二端子；

第一n沟道金属氧化物半导体场效应晶体管NMOSFET，其包括漏极、连接到采样设备的第一输出的栅极和连接到电流源的第二端子的源极；

第二NMOSFET，其包括漏极、连接到采样设备的第二输出的栅极和连接到电流源的第二端子的源极；

第一p沟道金属氧化物半导体场效应晶体管PMOSFET，其包括连接到第一NMOSFET的漏极的漏极、连接到第一NMOSFET的漏极的栅极和连接到电源电压VDD的源极；以及

第二PMOSFET，其包括连接到第二NMOSFET的漏极的漏极、连接到第一PMOSFET的栅极的栅极和连接到VDD的源极。

9.根据权利要求5所述的装置，还包括：泄放电流源，其包括连接到电源电压VDD的第一端子和连接到所述g_m级的输出的第二端子。

10.根据权利要求5所述的装置，还包括：泄放电流源，其包括连接到地电位的第一端子和连接到所述g_m级的输出的第二端子。