[发明专利]受光装置以及测距系统在审
申请号: | 202010075713.X | 申请日: | 2020-01-22 |
公开(公告)号: | CN111739899A | 公开(公告)日: | 2020-10-02 |
发明(设计)人: | 佃恭范 | 申请(专利权)人: | 索尼半导体解决方案公司 |
主分类号: | H01L27/144 | 分类号: | H01L27/144;H01L31/0232;H01L31/12;G01S17/08;G01S17/931;G01S7/4863;G01S7/4914 |
代理公司: | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人: | 吴孟秋 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 装置 以及 测距 系统 | ||
1.一种受光装置,其特征在于,包括多个像素,所述多个像素具有:
受光元件,具有受光面;以及
发光源,相对于所述受光元件设置在与所述受光面相反的一侧,
所述多个像素包括:
第一像素,具有设置在所述受光元件和所述发光源之间的遮光部件;以及
第二像素,在所述受光元件和所述发光源之间具有传播光子的导光部。
2.根据权利要求1所述的受光装置,其特征在于,
所述第二像素还具备遮光部件,所述遮光部件覆盖所述受光元件的受光面。
3.根据权利要求1所述的受光装置,其特征在于,
所述第二像素的所述发光源在与照射被所述第一像素的所述受光元件所接收的反射光的定时相同的定时发光。
4.根据权利要求1所述的受光装置,其特征在于,
所述受光装置通过将包含第一基板和第二基板的两张以上基板粘合而构成,
所述受光元件形成于所述第一基板,
所述发光源形成于所述第二基板。
5.根据权利要求4所述的受光装置,其特征在于,
在所述第二基板的像素区域内的电路中,所述第一像素和所述第二像素不同。
6.根据权利要求5所述的受光装置,其特征在于,
所述第一像素和所述第二像素不同的电路是控制形成于所述第二像素的所述发光源的电路。
7.根据权利要求4所述的受光装置,其特征在于,
在所述第二基板的像素区域内的电路中,所述第一像素和所述第二像素相同。
8.根据权利要求1所述的受光装置,其特征在于,
所述受光元件是单光子雪崩二极管。
9.根据权利要求8所述的受光装置,其特征在于,
所述像素的信号用于测距、距离数据的校准以及所述单光子雪崩二极管的施加电压的适当性确认中的任一个。
10.根据权利要求9所述的受光装置,其特征在于,
在所述单光子雪崩二极管的施加电压的适当性确认中,计测对所述第二像素的所述单光子雪崩二极管的施加电压。
11.根据权利要求10所述的受光装置,其特征在于,
基于所计测的所述单光子雪崩二极管的施加电压,控制所述单光子雪崩二极管的阳极电压。
12.根据权利要求1所述的受光装置,其特征在于,
在平面方向上,在所述第一像素和所述第二像素之间还具备不用于测距的第三像素。
13.根据权利要求12所述的受光装置,其特征在于,
所述第三像素是不被驱动的像素。
14.根据权利要求12所述的受光装置,其特征在于,
所述第三像素是作为内部电压监视用而驱动的像素。
15.根据权利要求1所述的受光装置,其特征在于,
所述第一像素以N1×N2配列,其中,N1、N2是1以上的整数。
16.根据权利要求1所述的受光装置,其特征在于,
所述第二像素以M1×M2配列,其中,M1、M2是1以上的整数。
17.根据权利要求1所述的受光装置,其特征在于,
所述发光源由晶体管、二极管即电阻元件中的任一个构成。
18.一种测距系统,其特征在于,包括:
照明装置,照射出照射光;以及
受光装置,接收对于所述照射光的反射光,
所述受光装置包括多个像素,所述多个像素具有:
受光元件,具有受光面;以及
发光源,相对于所述受光元件设置在与所述受光面相反的一侧,
所述多个像素包括:
第一像素,具有设置在所述受光元件和所述发光源之间的遮光部件;以及
第二像素,在所述受光元件和所述发光源之间具有传播光子的导光部。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的