[发明专利]显示面板和显示装置有效
申请号: | 202010075977.5 | 申请日: | 2020-01-22 |
公开(公告)号: | CN111261641B | 公开(公告)日: | 2022-11-11 |
发明(设计)人: | 韩林倩;唐国强;杨朝金 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12 |
代理公司: | 北京志霖恒远知识产权代理有限公司 11435 | 代理人: | 郭栋梁 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 面板 显示装置 | ||
本申请公开了一种显示面板和显示装置。该显示面板,包括第一显示区域和第二显示区域,沿第一方向设置的M个第一走线组和N个第二走线组,M和N为正整数,在第一显示区域内,第一走线组与第二走线组按照第一顺序交替排布;在第二显示区域内,至少部分第一走线组与部分第二走线组按照第二顺序交替排布,第二顺序与第一顺序不同,第二顺序交替排布使得相邻的第一走线组之间的空白区域增大。本申请实施例的技术方案通过调整走线的顺序来增大相邻第一走线组之间的空白区域,从而来增大第二显示区域的透光面积,提升其透光率。
技术领域
本申请涉及显示技术领域,尤其涉及显示面板和显示装置。
背景技术
随着技术的发展,市场对于高屏占比的显示面板的需求越来越迫切,显示面板正朝着全屏化、轻薄化方向发展。全屏化的实现离不开屏下摄像头技术,即当不需要成像功能时,摄像头与显示面板的其他区域一样正常发光;当需要成像功能时,摄像头区域具有正常成像功能。然而,摄像头区域由于其成像功能需要较高的光学透过率,正常发光区的透过率远远无法满足摄像头的需求。采用“H+L”的设计,即正常区域使用高PPI,透过率较高的区域使用低PPI的设计。对于低PPI区域来说,设置像素单元的位置透过率较低,像素之间的空白区透过率则比较高,从而提高该区域的整体透过率。
发明内容
鉴于现有技术中的上述缺陷或不足,期望提供一种显示面板和显示装置,来提高低像素区域的透光率。
第一方面,本申请实施例提供了一种显示面板,包括第一显示区域和第二显示区域,沿第一方向设置的M个第一走线组和N个第二走线组,M和N为正整数;
在第一显示区域内,第一走线组与第二走线组按照第一顺序交替排布;
在第二显示区域内,至少部分第一走线组与部分第二走线组按照第二顺序交替排布,第二顺序与第一顺序不同,第二顺序交替排布使得相邻的第一走线组之间的空白区域增大。
第二方面,本申请实施例提供了一种显示装置,该显示装置包括第一方面描述的显示面板,传感器单元,设置在显示面板的第二显示区域,且位于衬底基板背离出光方向的一侧,该传感器单元的感光面朝向所述显示面板。
本申请实施例提供的显示面板和显示装置,该显示面板包括第一显示区域和第二显示区域,沿第一方向设置的M个第一走线组和N个第二走线组,M和N为正整数,在第一显示区域内,第一走线组与第二走线组按照第一顺序交替排布;在第二显示区域内,至少部分第一走线组与部分第二走线组按照第二顺序交替排布,第二顺序与第一顺序不同,第二顺序交替排布使得相邻的第一走线组之间的空白区域增大。本申请实施例通过调整走线的顺序来增大相邻第一走线组之间的空白区域,从而来增大第二显示区域的透光面积,提升其透光率。
附图说明
通过阅读参照以下附图所作的对非限制性实施例所作的详细描述,本申请的其它特征、目的和优点将会变得更明显:
图1示出了本申请实施例提供的显示面板的结构示意图;
图2示出了本申请实施例提供的第二显示区域的局部结构的俯视示意图;
图3示出了现有技术提供的第一走线组和第二走线组的布线方案的俯视示意图;
图4示出了本申请实施例提供的第二走线组的布线方案的俯视示意图;
图5示出了本申请实施例提供调整后的第二走线组的结构示意图;
图6示出了本申请实施例提供的第一开口A处的走线示意图;
图7示出了本申请实施例提供的显示面板在第一开口A处的剖面示意图;
图8示出了本申请又一实施例提供的第二走线组的布线方案的俯视示意图;
图9示出了本申请又一实施例提供的显示面板在第一开口A处的剖面示意图;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的