[发明专利]显示装置在审
申请号: | 202010076469.9 | 申请日: | 2020-01-23 |
公开(公告)号: | CN111477655A | 公开(公告)日: | 2020-07-31 |
发明(设计)人: | 郑得锡;李晟熏;金泰坤;田信爱 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社;三星显示有限公司;三星SDI株式会社 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/50;H01L51/52 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 王新华 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示装置 | ||
1.一种显示装置,包括:
第一电极,
像素限定层,设置在所述第一电极上并具有开口,
有机发射层,设置在所述像素限定层上,该有机发射层通过所述开口与所述第一电极电连通,
第二电极,设置在所述有机发射层上,
光回收层,设置在所述第二电极上,以及
滤色器层,设置在所述光回收层上并包括量子点,
其中所述滤色器层与所述有机发射层完全重叠,并且
所述有机发射层的宽度方向长度比所述滤色器层的宽度方向长度长。
2.根据权利要求1所述的显示装置,其中所述像素限定层的由所述开口形成的侧部具有倾斜结构,并且
所述有机发射层沿着在所述像素限定层的所述侧部处的所述倾斜结构延伸到所述像素限定层的上表面的一部分。
3.根据权利要求1所述的显示装置,其中所述开口的宽度比所述滤色器层的宽度长或等于所述滤色器层的宽度。
4.根据权利要求3所述的显示装置,其中所述滤色器层的至少一部分容纳在所述开口中。
5.根据权利要求1所述的显示装置,其中
所述有机发射层发射第三光,并且
所述光回收层透射所述第三光,但是反射不同于所述第三光的第一光和第二光。
6.根据权利要求5所述的显示装置,其中所述第一光是红光,所述第二光是绿光,所述第三光是蓝光。
7.根据权利要求5所述的显示装置,其中所述光回收层对于所述第三光具有大于或等于90%的透射率。
8.根据权利要求5所述的显示装置,其中所述光回收层对于所述第一光和所述第二光具有小于或等于20%的透射率。
9.根据权利要求5所述的显示装置,其中所述光回收层具有在从0.5μm至5μm的范围内的厚度。
10.根据权利要求5所述的显示装置,其中
所述滤色器层包括:
第一滤色器层,包括将所述第三光转变成所述第一光的第一量子点,和
第二滤色器层,包括将所述第三光转变成所述第二光的第二量子点。
11.根据权利要求10所述的显示装置,其中所述第一电极设置在基板上,所述显示装置还包括在与所述基板的上表面平行的方向上与所述第一滤色器层和所述第二滤色器层中的至少一个相邻的透射层。
12.根据权利要求11所述的显示装置,其中所述透射层和/或所述滤色器层包括光散射体。
13.根据权利要求11所述的显示装置,其中所述显示装置还包括在与所述基板的所述上表面平行的所述方向上在所述第一滤色器层、所述第二滤色器层和所述透射层中的每相邻的两个之间的光阻挡构件。
14.根据权利要求10所述的显示装置,其中所述光回收层分别与所述第一滤色器层和所述第二滤色器层中的至少一个重叠。
15.根据权利要求10所述的显示装置,其中
所述第二电极和所述光回收层彼此直接接触,并且
所述第二电极的上表面的至少一部分包括凹凸结构。
16.根据权利要求10所述的显示装置,其中
所述第二电极和所述光回收层彼此直接接触,并且
所述光回收层的上表面和/或下表面的至少一部分包括凹凸结构。
17.根据权利要求10所述的显示装置,其中所述显示装置还包括第三光阻挡层,所述第三光阻挡层设置在所述滤色器层上并与所述第一滤色器层和所述第二滤色器层中的至少一个重叠。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星电子株式会社;三星显示有限公司;三星SDI株式会社,未经三星电子株式会社;三星显示有限公司;三星SDI株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的