[发明专利]R－T－B系烧结磁体的制造方法

权利要求书

1.一种R－T－B系烧结磁体的制造方法，其特征在于，包括：

准备R－T－B系烧结磁体原材料的工序；

准备RL1－RH－M1系合金的工序；

准备RL2－M2系合金的工序；

第一扩散工序，其在所述R－T－B系烧结磁体原材料的表面的至少一部分附着所述RL1－RH－M1系合金的至少一部分，在真空或不活泼气体气氛中，以700℃以上1100℃以下的温度进行加热；和

第二扩散工序，其在实施了所述第一扩散工序后的R－T－B系烧结磁体原材料的表面的至少一部分附着所述RL2－M2系合金的至少一部分，在真空或不活泼气体气氛中，以400℃以上600℃以下的温度进行加热，

所述第一扩散工序中的所述RL1－RH－M1系合金向所述R－T－B系烧结磁体原材料的附着量为4mass％以上15mass％以下，并且利用所述RL1－RH－M1系合金向所述R－T－B系烧结磁体原材料附着的RH的附着量为0.1mass％以上0.6mass％以下，

所述第二扩散工序中的所述RL2－M2系合金向实施了所述第一扩散工序后的R－T－B系烧结磁体原材料的附着量为1mass％以上15mass％以下，

在所述R－T－B系烧结磁体原材料中，

R为稀土元素，必须含有选自Nd、Pr和Ce中的至少1种，R的含量为R－T－B系烧结磁体原材料整体的27mass％以上35mass％以下，

T为选自Fe、Co、Al、Mn和Si中的至少1种，T必须含有Fe，Fe相对于T整体的含量为80mass％以上，

[T]/[B]的摩尔比超过14.0且为15.0以下，

在所述RL1－RH－M1系合金中，

RL1为轻稀土元素中的至少1种，必须含有选自Nd、Pr和Ce中的至少1种，RL1的含量为RL1－RH－M1系合金整体的60mass％以上97mass％以下，

RH为选自Tb、Dy和Ho中的至少1种，RH的含量为RL1－RH－M1系合金整体的1mass％以上8mass％以下，

M1为选自Cu、Ga、Fe、Co、Ni和Al中的至少1种，M1的含量为RL1－RH－M1系合金整体的2mass％以上39mass％以下，

在所述RL2－M2系合金中，

RL2为轻稀土元素中的至少1种，必须含有选自Nd、Pr和Ce中的至少1种，RL2的含量为RL2－M2系合金整体的60mass％以上97mass％以下，

M2为选自Cu、Ga、Fe、Co、Ni和Al中的至少1种，M2的含量为RL2－M2系合金整体的3mass％以上40mass％以下。

2.如权利要求1所述的R－T－B系烧结磁体的制造方法，其特征在于：

在所述RL1－RH－M1系合金中，RH的含量为RL1－RH－M1系合金整体的2mass％以上6mass％以下。

3.如权利要求1或2所述的R－T－B系烧结磁体的制造方法，其特征在于：

所述第一扩散工序中的所述RL1－RH－M1系合金向所述R－T－B系烧结磁体原材料的附着量为5mass％以上10mass％以下。

4.如权利要求1～3中任一项所述的R－T－B系烧结磁体的制造方法，其特征在于：

所述第二扩散工序中的所述RL2－M2系合金向所述R－T－B系烧结磁体原材料的附着量为2mass％以上10mass％以下。