[发明专利]包括可调四方亚铁磁性哈斯勒化合物的器件在审
| 申请号： | 202010076710.8 | 申请日： | 2020-01-23 |
| 公开（公告）号： | CN111490154A | 公开（公告）日： | 2020-08-04 |
| 发明（设计）人： | 郑在佑;马赫什·G·萨曼特;斯图尔特·S·P·帕金;雅里·费兰特 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社;国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L43/08 | 分类号： | H01L43/08;H01L43/12;H01L43/10;G11C11/16 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 尹淑梅;刘灿强 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 包括 可调 四方 亚铁磁性 哈斯勒 化合物 器件 | ||
1.一种包括可调四方亚铁磁性哈斯勒化合物的器件，所述器件包括：
呈Mn3-xCoxGe形式的哈斯勒化合物，其中，0x≤1，其中Co占所述哈斯勒化合物的至少0.4原子百分比，并且所述哈斯勒化合物具有四方结构；以及
基底，在(001)方向上取向并且呈YMn1+d形式，其中Y包括选自于由Ir和Pt组成的组中的元素，并且0≤d≤4，
其中，所述哈斯勒化合物和所述基底彼此接近，从而使自旋极化电流从所述哈斯勒化合物和所述基底中的一个穿过所述哈斯勒化合物和所述基底中的另一个。
2.根据权利要求1所述的器件，其中，Y是Ir。
3.根据权利要求1所述的器件，所述器件还包括与所述哈斯勒化合物接触的隧道势垒。
4.根据权利要求3所述的器件，其中，所述隧道势垒包括Mg和O。
5.根据权利要求1所述的器件，所述器件还包括位于所述哈斯勒化合物与所述基底之间并与所述哈斯勒化合物和所述基底接触的TaN层。
6.根据权利要求1所述的器件，其中，所述哈斯勒化合物呈Mn3-xCoxGe形式，其中0x≤1，并且所述基底呈IrMn3形式。
7.根据权利要求1所述的器件，其中，所述哈斯勒化合物具有与所述基底的平面垂直的磁矩。
8.根据权利要求1所述的器件，其中，所述哈斯勒化合物具有至少10埃且不超过500埃的厚度。
9.根据权利要求1所述的器件，所述器件还包括位于所述基底下面并与所述基底接触的TaN层。
10.根据权利要求1所述的器件，其中，所述哈斯勒化合物具有小于5nm的厚度。
11.根据权利要求1所述的器件，其中，所述哈斯勒化合物具有小于3nm的厚度。
12.一种包括可调四方亚铁磁性哈斯勒化合物的器件，所述器件包括：
呈Mn3-xCoxGe形式的哈斯勒化合物，其中，0x≤1，其中Co占所述哈斯勒化合物的至少0.4原子百分比，所述哈斯勒化合物具有四方结构；
多层结构，所述多层结构在室温下是非磁性的，所述多层结构包括Co和E的交替层，其中E包括至少一种其它元素，所述至少一种其它元素包括Al，其中所述多层结构的组成由Co1-yEy表示，并且y在0.45至0.55的范围内；以及
基底，位于所述多层结构的下面，
其中，所述哈斯勒化合物和所述多层结构彼此接近，从而使自旋极化电流从所述哈斯勒化合物和所述多层结构中的一个穿过所述哈斯勒化合物和所述多层结构中的另一个。
13.根据权利要求12所述的器件，其中，所述哈斯勒化合物的磁矩垂直于所述多层结构与所述哈斯勒化合物之间的界面。
14.根据权利要求12所述的器件，其中，所述哈斯勒化合物具有一个单胞的厚度。
15.根据权利要求12所述的器件，其中，E是AlGa合金。
16.根据权利要求12所述的器件，其中，E包括选自于由AlSn、AlGe、AlGaGe、AlGaSn、AlGeSn和AlGaGeSn组成的组中的合金。
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