[发明专利]医疗用发光二极管有效
| 申请号： | 202010077298.1 | 申请日： | 2020-01-26 |
| 公开（公告）号： | CN111244241B | 公开（公告）日： | 2021-04-09 |
| 发明（设计）人： | 孙蕾蕾 | 申请（专利权）人： | 江门市亿洋红外半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/32 | 分类号： | H01L33/32;H01L33/06;H01L33/00 |
| 代理公司： | 杭州知管通专利代理事务所(普通合伙) 33288 | 代理人： | 黄华 |
| 地址： | 529000 广东省江*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 医疗 发光二极管 | ||
1.一种医疗用发光二极管，其特征在于，包括衬底，位于所述衬底上的过渡层，位于所述过渡层上的U型氮化镓层，位于所述U型氮化镓层上的N型氮化镓层，位于所述N型氮化镓层上的发光层，位于所述发光层上的P型氮化镓层，所述发光层包括交替设置在所述N型氮化镓层上的多个发光垒层和多个发光阱层，所述发光垒层和所述发光阱层交替层叠设置，发光垒层为第一铝镓氮层，发光阱层为第二铝镓氮层，第一铝镓氮层和第二铝镓氮层铝含量不同，第一个发光垒层位于N型氮化镓层上，P型氮化镓层位于最后一个发光垒层上，发光垒层数量比发光阱层数量多一个，至少其中之一发光阱层中铝含量随厚度逐渐降低，与该发光阱层相邻的发光垒层中铝含量随厚度逐渐升高。
2.如权利要求1所述的医疗用发光二极管，其特征在于，所述铝含量随厚度逐渐降低的发光阱层位于所述N型氮化镓层一侧，所述发光阱层中铝含量随厚度降低速率大于与该发光阱层相邻的发光垒层中铝含量随厚度升高速率。
3.如权利要求2所述的医疗用发光二极管，其特征在于，所述铝含量随厚度逐渐降低的发光阱层厚度小于与该发光阱层相邻的发光垒层厚度。
4.如权利要求1所述的医疗用发光二极管，其特征在于，所述铝含量随厚度逐渐降低的发光阱层位于所述P型氮化镓层一侧，所述发光阱层中铝含量随厚度降低速率小于与该发光阱层相邻的发光垒层中铝含量随厚度升高速率。
5.如权利要求4所述的医疗用发光二极管，其特征在于，所述铝含量随厚度逐渐降低的发光阱层厚度大于与该发光阱层相邻的发光垒层厚度。
6.如权利要求1至5任一所述的医疗用发光二极管，其特征在于，所述铝含量随厚度逐渐降低的发光阱层与铝含量随厚度逐渐升高的发光垒层之间还包括一中间层，所述中间层位于该发光阱层上，发光垒层位于所述中间层上。
7.如权利要求6所述的医疗用发光二极管，其特征在于，所述中间层为第三铝镓氮层，所述第三铝镓氮层铝含量介于第一铝镓氮层铝含量和第二铝镓氮层铝含量之间。
8.如权利要求7所述的医疗用发光二极管，其特征在于，所述第三铝镓氮层中铝含量随厚度均匀变化。
9.如权利要求6所述的医疗用发光二极管，其特征在于，所述中间层为铟镓氮层。
10.如权利要求9所述的医疗用发光二极管，其特征在于，所述铟镓氮层与发光垒层之间还包括一氮化镓层。
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