[发明专利]LED制备工艺

权利要求书

1.一种LED制备工艺，其特征在于，包括以下步骤：

提供一衬底；

在所述衬底上形成缓冲层；

在所述缓冲层上形成第一半导体层；

在所述第一半导体层上形成过渡层；

在所述过渡层上形成发光层；

在所述发光层上形成第二半导体层；

所述发光层包括交替设置在所述第一半导体层上的多个发光垒层和多个发光阱层，所述发光垒层和所述发光阱层交替层叠设置，第一个发光垒层位于过渡层上，所述第二半导体层位于最后一个发光垒层上，发光垒层数量比发光阱层数量多一个；形成所述第一半导体层过程中反应腔体压力保持为第一压力，形成所述发光层过程中反应腔体压力保持为第二压力，所述第二压力小于所述第一压力，形成所述过渡层过程中反应腔体起始压力等于所述第一压力，终止压力等于所述第二压力。

2.如权利要求1所述的LED制备工艺，其特征在于，所述过渡层为铝镓氮层。

3.如权利要求1或2所述的LED制备工艺，其特征在于，所述第一压力为300～500Torr，所述第二压力为100～200Torr。

4.如权利要求3所述的LED制备工艺，其特征在于，所述第一压力为400Torr，所述第二压力为150Torr。

5.如权利要求1或2所述的LED制备工艺，其特征在于，形成所述过渡层时间为2～10min。

6.如权利要求5所述的LED制备工艺，其特征在于，形成所述过渡层时间为6min。

7.如权利要求6所述的LED制备工艺，其特征在于，形成所述过渡层过程中反应腔体压力逐渐均匀减小。

8.如权利要求6所述的LED制备工艺，其特征在于，形成所述过渡层过程中反应腔体压力以10～50Torr/min均匀减小。

9.如权利要求1或2所述的LED制备工艺，其特征在于，形成所述过渡层过程中通入铟源。

10.如权利要求9所述的LED制备工艺，其特征在于，形成所述过渡层过程中温度以50～80℃/min均匀降低。