[发明专利]一种伪单光子源及制备方法

权利要求书

1.一种伪单光子源，其特征在于，包括：依次叠置的背电极层、衬底层和伪单光子源阵列；

所述伪单光子源阵列包括依次叠置的第一绝缘层、金属遮光层、第二绝缘层和电极层；

其中，所述第一绝缘层设置有第一通光孔，所述金属遮光层设置有第二通光孔，所述第二绝缘层设置有第三通光孔，所述电极层设置有线栅；

所述第一通光孔、第二通光孔、第三通光孔和所述线栅为同心圆，且所述第二通光孔、第三通光孔和所述线栅的尺寸依次减小；

其中，所述衬底层由带有有源发光层的半导体材料制备。

2.根据权利要求1所述伪单光子源，其特征在于，所述衬底层上有一个或多个伪单光子源阵列。

3.根据权利要求1所述伪单光子源，其特征在于，所述背电极层和所述电极层采用的材料为铬、金或铝。

4.根据权利要求1所述伪单光子源，其特征在于，所述第二通光孔为圆形孔；

其中，所述圆形孔的直径范围为5微米至100微米。

5.一种伪单光子源的制备方法，其特征在于，包括：

在衬底层发光侧通过二氧化硅制备得到第一绝缘层；在所述第一绝缘层上制备带第二通光孔的金属遮光层，在所述金属遮光层上通过二氧化硅制备得到第二绝缘层；

通过湿法腐蚀法将金属遮光层孔内的二氧化硅进行腐蚀处理，得到带第一通光孔的第一绝缘层和带第三通光孔的第二绝缘层，其中，所述第一通光孔、第二通光孔和所述第三通光孔为同心圆，且所述第一通光孔和第三通光孔的直径小于第二通光孔的直径；

在所述第二绝缘层上，生成电极层，并在所述电极层上刻蚀线栅，并在衬底层发光侧的背面生成背电极；

其中，所述线栅与所述第三通光孔为同心圆，且所述线栅的直径小于第三通光孔的直径；

其中，所述衬底层由带有有源发光层的半导体材料制备。

6.根据权利要求5所述伪单光子源的制备方法，其特征在于，所述在衬底层发光侧通过二氧化硅制备得到第一绝缘层的步骤，具体包括：

通过采用PECVD工艺在所述衬底层发光侧生长二氧化硅得到第一绝缘层。

7.根据权利要求5所述伪单光子源的制备方法，其特征在于，所述在所述第一绝缘层上制备带第二通光孔的金属遮光层的步骤，具体包括：

采用磁控溅射镀膜工艺在所述第一绝缘层上生长金属铬得到带第二通光孔的金属遮光层。

8.根据权利要求5所述伪单光子源的制备方法，其特征在于，在所述第二绝缘层上，生成电极层的步骤，具体包括：

在所述第二绝缘层上，用磁控溅射镀膜工艺依次生长一层铬和一层金得到电极层。

9.根据权利要求5所述伪单光子源的制备方法，其特征在于，所述在衬底层发光侧的背面生成背电极的步骤，包括：

在衬底层发光侧的背面，采用电子束蒸发镀膜工艺依次生长一层钛和一层金作为背电极。