[发明专利]太阳能电池

说明书

本发明涉及钝化接触型太阳能电池及其制造方法。该方法包括以下步骤：(i)制备基片，该基片包含：第一半导体层，位于第一半导体层上的隧道氧化物层，位于隧道氧化物层上的第二半导体层，位于第二半导体层上的第一绝缘层，以及在隧道氧化物层另一侧位于第一半导体层上的第三半导体层，其中第二半导体层的厚度为0.2‑400nm，其中第一绝缘层包含一个或多个开口；(ii)在第一绝缘层的开口中施加导电糊料，所述导电糊料包含：(a)包含银(Ag)和钯(Pd)的导电粉末，(b)玻璃料，以及(c)有机载剂；以及(iii)烧制所施加的导电糊料，以形成电极。玻璃料可包含30‑90重量％的PbO和/或Bi₂O₃、1‑50重量％的B₂O₃、0.1‑30重量％的SiO₂和0.1‑20重量％的Al₂O₃。

相关申请的交叉参考

本申请根据35USC 119(e)要求美国临时申请序列第62/797,611号和美国临时申请序列第62/797,636号的权益，二者均于2019年1月28日提交，这两份申请为所有目的通过参考纳入本文。

技术领域

本发明涉及钝化接触型太阳能电池，更具体涉及其电极及其制造方法。

背景技术

钝化接触型太阳能电池要求具有足够的效率。钝化接触型太阳能电池的例子有隧道氧化物钝化接触(TOPcon)型太阳能电池和多晶硅氧化物层(POLO)型太阳能电池。

WO2017163498描述了TOPcon型太阳能电池。该太阳能电池包含在半导体基片上形成的隧道氧化物层；在隧道氧化物层上形成的第一导电型半导体层；在半导体层上形成的保护膜；以及电极。该电极通过以下步骤形成：丝网印刷导电糊料，然后对其进行烧制，使导电糊料在烧制过程中蚀刻保护膜，进而与半导体层发生电接触。

发明内容

本申请的目的是提供具有充分的电学性能的钝化接触型太阳能电池。

一方面涉及制造钝化接触型太阳能电池的方法，包括以下步骤：(i)制备基片，所述基片包含：第一半导体层，位于第一半导体层上的隧道氧化物层，位于隧道氧化物层上的第二半导体层，位于第二半导体层上的第一绝缘层，以及在隧道氧化物层另一侧位于第一半导体层上的第三半导体层，其中第二半导体层的厚度为0.2-400nm，其中第一绝缘层包含一个或多个开口；(ii)在第一绝缘层的开口中施加导电糊料，所述导电糊料包含：(a)包含银(Ag)和钯(Pd)的导电粉末，(b)玻璃料，以及(c)有机载剂；以及(iii)烧制所施加的导电糊料，以形成电极。导电粉末可包含银(Ag)、钯(Pd)、含Ag和Pd的合金或其混合物的粉末。玻璃料可包含30-90重量％的PbO和/或Bi₂O₃、1-50重量％的B₂O₃、0.1-30重量％的SiO₂和0.1-20重量％的Al₂O₃。

另一方面涉及用于钝化接触型太阳能电池的导电糊料，所述导电糊料包含：(a)包含银(Ag)和钯(Pd)的导电粉末，(b)玻璃料，以及(c)有机载剂。

又一方面涉及钝化接触型太阳能电池，包含：(i)基片，其包含第一半导体层、位于第一半导体层上的隧道氧化物层、位于隧道氧化物层上的第二半导体层、位于第二半导体层上的第一绝缘层以及在隧道氧化物层另一侧位于第一半导体层上的第三半导体层，其中第一绝缘层包含一个或多个开口；和(ii)位于基片上的电极，其中所述电极填充第一绝缘层中的开口并与第二半导体层接触，所述电极包含：(a)金属和(b)玻璃。在一个实施方式中，所述金属包含银(Ag)和钯(Pd)。在一个实施方式中，所述第二半导体层的厚度小于20nm。

本发明能提供具有充分的电学性能的钝化接触型太阳能电池。