[发明专利]一种快速恢复二极管芯片结构在审

专利信息
申请号: 202010077911.X 申请日: 2020-02-01
公开(公告)号: CN111063662A 公开(公告)日: 2020-04-24
发明(设计)人: 何伟业;胡建权 申请(专利权)人: 深圳市芯域联合半导体科技有限公司
主分类号: H01L23/02 分类号: H01L23/02;H01L23/10;H01L29/861;H01L25/07
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 518000 广东省深圳市宝安*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 快速 恢复 二极管 芯片 结构
【权利要求书】:

1.一种快速恢复二极管芯片结构,包括上封盖(1)、下封盖(2)与芯片组(3),其特征在于:所述芯片组(3)包括多个芯片(4)与多个芯片(4)之间的焊接片(14),所述上封盖(1)的两端均固定连接有第一锁紧块(6),所述下封盖(1)的两端均固定连接有第二锁紧块(7),所述第一锁紧块(6)与第二锁紧块(7)之间插设有锁紧杆(8),所述锁紧杆(8)的一端固定连接有固定块(9),所述锁紧杆(8)的另一端固定连接有固定套(10),所述上封盖(1)的一侧插设有第一引脚(11),所述第一引脚(11)位于上封盖(1)内的一端设有第一连接片(12),所述第一连接片(12)与芯片组(3)相抵,所述下封盖(2)的一侧插设有第二引脚(13),所述第二引脚(13)位于下封盖(2)内的一端设有第二连接片(5),所述第二连接片(5)与芯片组(3)相抵。

2.根据权利要求1所述的一种快速恢复二极管芯片结构,其特征在于:所述锁紧杆(8)上设有外螺纹,所述固定套(10)上设有螺口,所述固定套(10)与锁紧杆(8)之间为螺纹连接。

3.根据权利要求1所述的一种快速恢复二极管芯片结构,其特征在于:所述上封盖(1)与下封盖(2)的厚度均为3mm。

4.根据权利要求1所述的一种快速恢复二极管芯片结构,其特征在于:所述上封盖(1)与下封盖(2)均为“凹”字型设置,且形状为长条形,所述第一锁紧块(6)与第二锁紧块(7)均设置在“凹”字型的外表面。

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