[发明专利]半导体结构及其制备方法

权利要求书

1.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

提供图像处理晶圆，所述图像处理晶圆内形成有图像处理器，且所述图像处理晶圆正面形成有第一引出焊盘，所述第一引出焊盘与所述图像处理器电连接；

提供存储器晶圆，所述存储器晶圆内形成有存储器，且所述存储器晶圆正面形成有第二引出焊盘，所述第二引出焊盘与所述存储器电连接；

将所述存储器晶圆倒装键合于所述图像处理晶圆正面，且所述第二引出焊盘与所述第一引出焊盘电连接；

于所述存储器晶圆背面形成第一连接焊盘，所述第一连接焊盘与所述存储器电连接；

提供图像传感器晶圆，所述图像传感器内形成有图像传感器，且所述图像传感器晶圆正面形成有第三引出焊盘，所述第三引出焊盘与所述图像传感器电连接；

将所述图像传感器晶圆倒装键合于所述存储器晶圆背面，且所述第三引出焊盘与所述第一连接焊盘电连接；及

于所述图像传感器晶圆背面形成第二连接焊盘，所述第二连接焊盘与所述图像传感器电连接。

2.根据权利要求1所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，将所述存储器晶圆倒装键合于所述图像处理晶圆正面之后，且于所述存储器晶圆背面形成所述第一连接焊盘之前还包括对所述存储器晶圆背面进行减薄处理的步骤；将所述图像传感器晶圆倒装键合于所述存储器晶圆背面之后，且于所述图像传感器晶圆背面形成第二连接焊盘之前还包括对所述图像传感器晶圆背面进行减薄处理的步骤。

3.根据权利要求2所述的半导体结构的制备方法，其特征在于：所述图像传感器晶圆内还形成有第三连接焊盘，所述第三连接焊盘位于所述图像传感器远离所述第三引出焊盘的一侧，且与所述图像传感器电连接；对所述图像传感器晶圆背面进行减薄至暴露出所述第三连接焊盘。

4.根据权利要求3所述的半导体结构的制备方法，其特征在于：对所述图像传感器晶圆进行背面减薄处理后还包括于所述图像传感器晶圆背面形成介质层，所述介质层覆盖所述图像传感器背面；所述第二连接焊盘位于所述介质层内，且与所述第三连接焊盘电连接。

5.根据权利要求1所述的半导体结构的制备方法，其特征在于：所述第二引出焊盘的数量与所述第一引出焊盘的数量相同，且所述第二引出焊盘与所述第一引出焊盘一一对应电连接；所述第三引出焊盘的数量与所述第一连接焊盘的数量相同，且所述第三引出焊盘与所述第一连接焊盘一一对应电连接。

6.根据权利要求1至5中任一项所述的半导体结构的制备方法，其特征在于：形成所述第二连接焊盘之后还包括于所述第二连接焊盘上形成封装焊盘的步骤。

7.根据权利要求6所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，形成所述封装焊盘之后还包括于所述图像传感器晶圆背面形成保护层的步骤，所述保护层覆盖所述图像传感器晶圆背面及所述封装焊盘的侧壁，且暴露出所述封装焊盘远离所述图像传感器晶圆的表面。

8.一种半导体结构，其特征在于，包括：

图像处理晶圆，所述图形处理晶圆内设有图像处理器，所述图像处理晶圆正面设有第一引出焊盘，所述第一引出焊盘与所述图像处理器电连接；

存储器晶圆，倒装键合于所述图像处理晶圆正面；所述存储器晶圆内设有存储器，所述存储器晶圆正面设有第二引出焊盘，所述存储器晶圆背面设有第一连接焊盘；所述第二引出焊盘与所述存储器及所述第一引出焊盘电连接，所述第一连接焊盘与所述存储器电连接；

图像传感器晶圆，倒装键合于所述存储器晶圆背面；所述图像传感器晶圆正面设有第三引出焊盘，所述第三引出焊盘与所述图像传感器及所述第一连接焊盘电连接；及

第二连接焊盘，位于所述图像传感器晶圆背面，且与所述图像传感器电连接。

9.根据权利要求8所述的半导体结构，其特征在于：所述图像传感器晶圆背面还设有第三连接焊盘，所述第三连接焊盘与所述图像传感器及所述第二连接焊盘电连接。