[发明专利]基板处理装置的控制方法和基板处理装置在审
申请号: | 202010078725.8 | 申请日: | 2020-02-03 |
公开(公告)号: | CN111508869A | 公开(公告)日: | 2020-08-07 |
发明(设计)人: | 鸟屋大辅;古屋雄一;藤里敏章 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;C23C16/16;C23C16/44;C23C16/455;C23C16/458;C23C16/46 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 处理 装置 控制 方法 | ||
本发明提供一种恰当地控制传热气体的供给的基板处理装置的控制方法和基板处理装置。具备用于在主体容器内载置基板的载置台、环状构件、气体导入部、排气部、以及向背面空间供给传热气体或将传热气体排出的传热气体供给排气部的基板处理装置的控制方法包括以下工序:将基板载置于载置台,将环状构件载置于基板进行按压;在传热气体供给排气部中,准备向背面空间供给的传热气体的压力;从传热气体供给排气部向背面空间供给传热气体;从气体导入部向主体容器内导入气体来对基板实施处理;第一排气工序,经由节流孔从背面空间排出传热气体;以及第二排气工序,在第一排气工序之后,从背面空间排出传热气体;以及从基板拆卸环状构件。
技术领域
本公开涉及一种基板处理装置的控制方法和基板处理装置。
背景技术
例如已知一种对基板进行成膜处理等规定的处理的基板处理装置。
专利文献1公开了一种向试样的背面导入传热气体来控制试样的温度的真空处理装置。
专利文献1:日本特开平3-104887号公报
发明内容
在一个方面中,本公开提供一种恰当地控制传热气体的供给的基板处理装置的控制方法和基板处理装置。
为了解决上述课题,根据一个方式,提供一种基板处理装置的控制方法,所述基板处理装置具备:载置台,其用于在主体容器内载置基板;环状构件,其用于按压被载置于所述载置台的所述基板;气体导入部,其用于向所述主体容器内导入气体;排气部,其用于对所述主体容器内进行排气;以及传热气体供给排气部,其用于向所述基板的背面与所述载置台的表面之间的空间即背面空间供给传热气体或将传热气体排出,所述基板处理装置的控制方法包括如下工序:将所述基板载置于所述载置台,将所述环状构件载置于所述基板进行按压;在所述传热气体供给排气部中,准备向所述背面空间供给的传热气体的压力;从所述传热气体供给排气部向所述背面空间供给传热气体;从所述气体导入部向所述主体容器内导入气体来对所述基板实施处理;第一排气工序,经由节流孔来从所述背面空间排出传热气体;第二排气工序,在所述第一排气工序之后,从所述背面空间排出传热气体;以及从所述基板拆卸所述环状构件。
根据一个方面,能够提供一种恰当地控制传热气体的供给的基板处理装置的控制方法和基板处理装置。
附图说明
图1是一个实施方式所涉及的基板处理装置的一例的截面示意图。
图2是一个实施方式所涉及的基板处理装置具有的传热气体供给部的一例的结构图。
图3是表示一个实施方式所涉及的基板处理装置中的动作的一例的流程图。
图4是表示传热气体供给排气部在各工序中的状态的结构图。
具体实施方式
下面,参照附图来说明用于实施本公开的方式。在各附图中,对同一结构部分标注同一标记,有时省略重复的说明。
处理装置
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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