[发明专利]一种基于水平放置LPCVD设备的隧穿氧化方法

权利要求书

1.一种基于水平放置LPCVD设备的隧穿氧化方法，其特征是，包括以下步骤：

步骤1：将硅片装入水平插片舟中，使硅片呈水平排列，在设定温度进舟，将装有硅片的石英舟推入LPCVD设备的炉体中，持续通入1L-3L/min的保护氮气，直至步骤2开始停止通入氮气；

步骤2：升温并管内压力抽至100-300Torr，并保持10-20min；

步骤3：温度恒温在550-600℃，通入20-30L/min的氧气，氧气与硅片表面形成二氧化硅，Si+O₂＝SiO₂；

步骤4：将温度降低至530℃，管内压力释放至标准大气压，关闭氧气，通入20-30L/min氮气，持续10-20min；

步骤5：出舟，将装有硅片的石英舟从设备的炉体中拉出。

2.根据权利要求1所述的一种基于水平放置LPCVD设备的隧穿氧化方法，其特征是，装入水平舟的硅片为背靠背双片插片。

3.根据权利要求1所述的一种基于水平放置LPCVD设备的隧穿氧化方法，其特征是，所述步骤1中，进舟温度设定为520-530℃。

4.根据权利要求1所述的一种基于水平放置LPCVD设备的隧穿氧化方法，其特征是，所述步骤2中升温至550-600℃。

5.根据权利要求1所述的一种基于水平放置LPCVD设备的隧穿氧化方法，其特征是，所述步骤3中，通氧过程中，通过真空泵使管内压力保持100-300Torr，并保持10-20min。

6.根据权利要求1所述的一种基于水平放置LPCVD设备的隧穿氧化方法，其特征是，所述出舟环境为在530℃的氮气环境下。