[发明专利]包括辅助像素的显示装置在审
申请号: | 202010080738.9 | 申请日: | 2020-02-05 |
公开(公告)号: | CN111540767A | 公开(公告)日: | 2020-08-14 |
发明(设计)人: | 金彰穆;韩东垣 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;G09G3/3208 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 田野;陈亚男 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 包括 辅助 像素 显示装置 | ||
1.一种显示装置,所述显示装置包括:
基底,包括传感器区域、至少部分地围绕所述传感器区域的第一非显示区域以及至少部分地围绕所述第一非显示区域的显示区域;
多个辅助像素,设置在所述传感器区域中并被构造为无源矩阵驱动;
多个主像素,设置在所述显示区域中并被构造为有源矩阵驱动;以及
多个辅助薄膜晶体管,设置在所述第一非显示区域中并被构造为驱动所述多个辅助像素。
2.根据权利要求1所述的显示装置,所述显示装置还包括布置在所述基底的下表面上的组件,使得所述组件对应于所述传感器区域。
3.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述多个辅助像素中的每个位于其中基本沿第一方向延伸的多个水平电极和基本沿与所述第一方向交叉的第二方向延伸的多个竖直电极彼此相交的区域中。
4.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述多个主像素中的每个包括至少一个薄膜晶体管。
5.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述多个辅助像素中的每个包括水平电极、竖直电极以及布置在所述水平电极与所述竖直电极之间的中间层,并且
其中,所述多个辅助薄膜晶体管中的每个包括连接到所述水平电极的第一辅助薄膜晶体管和连接到所述竖直电极的第二辅助薄膜晶体管。
6.根据权利要求5所述的显示装置,其中,所述多个主像素中的每个包括像素电极、中间层和对电极,并且
其中,所述第一辅助薄膜晶体管的源电极或漏电极连接到所述对电极。
7.根据权利要求6所述的显示装置,其中,所述第二辅助薄膜晶体管的栅电极连接到被构造为将数据信号传输到所述多个主像素的数据线。
8.根据权利要求5所述的显示装置,其中,所述第二辅助薄膜晶体管的源电极或漏电极连接到位于所述第一非显示区域中的驱动电压线。
9.根据权利要求1所述的显示装置,所述显示装置还包括设置在所述基底的下表面上的下保护膜,
其中,所述下保护膜包括对应于所述传感器区域的开口。
10.根据权利要求1所述的显示装置,所述显示装置还包括多条线,所述多条线从所述显示区域延伸,布置在所述第一非显示区域中,并且沿着所述传感器区域的边缘绕行。
11.根据权利要求10所述的显示装置,其中,所述多条线中的每条包括在所述第一非显示区域中的弯曲部分。
12.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述多个辅助像素中的每个的发光区域的尺寸大于所述多个主像素中的每个的发光区域的尺寸。
13.根据权利要求1所述的显示装置,其中,在所述传感器区域中实现的分辨率在50ppi至400ppi的范围内。
14.一种显示装置,所述显示装置包括:
基底,包括传感器区域、至少部分地围绕所述传感器区域的第一非显示区域以及至少部分地围绕所述第一非显示区域的显示区域;
多个辅助像素,设置在所述传感器区域中并被构造为无源矩阵驱动;
多个主像素,设置在所述显示区域中并被构造为有源矩阵驱动;以及
组件,在所述基底下面以对应于所述传感器区域。
15.根据权利要求14所述的显示装置,其中,所述组件是红外传感器。
16.根据权利要求14所述的显示装置,其中,所述传感器区域具有15%或更高的红外透射率。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的