[发明专利]一种体声波谐振器的顶电极结构及制作工艺

权利要求书

1.一种体声波谐振器的顶电极制作工艺，其特征在于，包括以下步骤：

S1，制备设置有空腔的衬底，在所述衬底上依次制作覆盖所述空腔的底电极层和压电层；

S2，在所述压电层上制作介质隔离层，使所述介质隔离层覆盖于所述压电层顶部的部分上表面；以及

S3，在所述介质隔离层和所述压电层上制作所述顶电极层，所述顶电极层覆盖在所述介质隔离层上，并且至少有一边延伸到所述空腔在所述压电层上的投影区域的边缘。

2.根据权利要求1所述的制作工艺，其特征在于，所述S2包括以下子步骤：

S21，在所述压电层上无需布置所述介质隔离层的区域制作掩膜；

S22，通过旋涂、曝光和显影工艺制作所述介质隔离层；以及

S23，去除所述掩膜。

3.根据权利要求2所述的制作工艺，其特征在于，在所述介质隔离层上制作第二掩膜以保护所述介质隔离层。

4.根据权利要求1所述的制作工艺，其特征在于，所述步骤S2具体包括以下子步骤：

在所述压电层上制作掩膜；

通过旋涂、曝光和显影工艺在所述掩膜上制作介质隔离层；以及

通过蚀刻工艺去除未施加所述介质隔离层的区域的掩膜。

5.根据权利要求4所述的制作工艺，其特征在于，所述掩膜的厚度为10-20nm。

6.根据权利要求1所述的制作工艺，其特征在于，还包括以下步骤：

S4，通过沉积在所述介质隔离层上制作阻挡层；

S5，在所述阻挡层上制作第二隔离层；

S6，在所述顶电极层上制作第二质量负载层；以及

S7，将所述第二隔离层刻蚀掉。

7.根据权利要求6所述的制作工艺，其特征在于，所述S6中所述第二质量负载层在所述顶电极层上延伸至所述第二隔离层。

8.根据权利要求1-7中任一项所述的制作工艺，其特征在于，所述底电极层和顶电极层在映射到所述衬底上的轮廓形状为由直线和弧线连接而成的封闭不规则形状。

9.根据权利要求1-7任一项所述的制作工艺，其特征在于，所述步骤S2还包括对所述介质隔离层进行烘烤。

10.根据权利要求9所述的制作工艺，其特征在于，所述介质隔离层的材料包括PI材料，所述介质隔离层的烘烤温度设定为200-250℃。

11.根据权利要求1-7任一项所述的制作工艺，其特征在于，所述S2还包括以下步骤：利用光刻或蚀刻工艺调整所述介质隔离层的边缘。

12.根据权利要求1-7任一项所述的制作工艺，其特征在于，所述介质隔离层的上表面的高度接近所述压电层的上表面。

13.一种薄膜体声波谐振器，其特征在于，包括依次设置在具有空腔的衬底上的底电极层、压电层和顶电极层，并且还包括介质隔离层，所述介质隔离层被设置在所述压电层和顶电极层之间，并且覆盖在所述压电层顶部的部分上表面，所述顶电极层覆盖在所述介质隔离层上方，并且至少有一边延伸到所述空腔垂直于所述压电层的投影区域的边缘。

14.根据权利要求13所述的谐振器，其特征在于，所述谐振器还包括设置在所述介质隔离层与所述压电层之间的掩膜。

15.根据权利要求13所述的谐振器，其特征在于，所述谐振器还包括设置在所述介质隔离层上并且延伸到所述介质隔离层与所述顶电极层之间的掩膜。

16.根据权利要求13所述的谐振器，其特征在于，所述谐振器还包括设置在所述介质隔离层上方的暴露于外部的区域上的阻挡层。