[发明专利]显示装置及半导体器件

说明书

本发明涉及显示装置及半导体器件。能在同一基板内形成LTPS TFT和氧化物半导体TFT。显示装置，其特征在于，具有形成有使用氧化物半导体(109)的第一TFT和使用多晶硅半导体的第二TFT的基板，上述第一TFT中，覆盖上述氧化物半导体而形成第一绝缘膜(112)，第一漏电极(110)介由上述第一绝缘膜中形成的第一通孔(132)连接于上述氧化物半导体，第一源电极(111)介由第二通孔(133)连接于上述氧化物半导体，覆盖上述第一漏电极及上述第一源电极而形成第二绝缘膜(115)，漏极布线(120)介由上述第二绝缘膜中形成的第三通孔(130)连接于上述第一漏电极，源极布线(122)介由上述第二绝缘膜中形成的第四通孔(131)连接于上述第一源电极。

技术领域

本发明涉及基于使用多晶硅半导体的TFT和使用氧化物半导体的TFT这两者的、使用混合结构的显示装置及半导体器件。

背景技术

液晶显示装置中，形成下述这样的构成：具有TFT基板、与TFT基板相对地配置的对置基板，并在TFT基板与对置基板之间夹持液晶，其中，所述TFT基板中以矩阵状形成有具有像素电极及薄膜晶体管(TFT)等的像素。并且，按每个像素来控制基于液晶分子的光的透过率，从而形成图像。另一方面，有机EL显示装置通过在各像素中配置自发光的有机EL层和TFT，从而形成彩色图像。有机EL显示装置由于无需背光源，因此对于薄型化而言是有利的。

多晶硅半导体的迁移率高，因此适合作为驱动电路用TFT。另一方面，氧化物半导体的OFF电阻高，若将其用作像素内的开关TFT，则能够减小OFF电流。

作为记载了使用氧化物半导体的TFT和使用多晶硅半导体的显示装置，可举出专利文献1、专利文献2、专利文献3、专利文献4及专利文献5。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2018-74076号公报

专利文献2：日本特开2017-208473号公报

专利文献3：日本特开2018-49919号公报

专利文献4：日本特开2016-93071号公报

专利文献5：日本特开2016-194703号公报

发明内容

发明要解决的课题

就作为像素的开关使用的TFT而言，需要漏电流小。利用氧化物半导体的TFT能够减小漏电流。但是，氧化物半导体的载流子的迁移率小，因此有时难以由使用氧化物半导体的TFT来形成内置于显示装置内的驱动电路。

另一方面，由多晶硅半导体形成的TFT的迁移率大，因此能够由使用多晶硅半导体的TFT形成驱动电路。但是，在将多晶硅半导体用作像素中的开关TFT的情况下，多晶硅半导体的漏电流大，因此，通常将两个多晶硅半导体TFT串联地使用。

因此，当作为显示区域中的像素的开关TFT使用氧化物半导体、而在周边驱动电路的TFT中使用多晶硅半导体时，是合理的。但是，就使用多晶硅半导体的TFT和使用氧化物半导体的TFT而言，需要形成于不同的层。根据工艺温度条件，通常，先(即在下层)形成使用多晶硅半导体的TFT，后(即在上层)形成使用氧化物半导体的TFT。

但是，由于多晶硅半导体的表面会被氧化，因此，在层叠于多晶硅半导体之上的绝缘膜中形成通孔后，利用氢氟酸(HF)清洗通孔内。此时，氢氟酸(HF)也进入形成于氧化物半导体侧的通孔。这样的话，氧化物半导体会因氢氟酸(HF)而消失。

为了防止该情况，进行下述操作：形成漏极金属或源极金属并将通孔连接于漏极金属或源极金属，而不将通孔直接连接于氧化物半导体。专利文献1至5为示出该构成的例子。