[发明专利]影像感测器结构及其形成方法

权利要求书

1.一种影像感测器结构，其特征在于，包括：

一基底，具有一第一导电型态；

一第一井区和一第二井区，设置于该基底中且彼此分开；

一隔离区，设置于该第一井区中；

一栅极，设置于该基底上且于该第一井区和该第二井区之间；以及

一嵌入式光二极管，设置于该基底中且于该第一井区和该第二井区之间，其中该嵌入式二极管包括：一第一掺杂区，设置于该基底中且具有一第一掺杂浓度及该第一导电型态；以及一第二掺杂区，设置于该第一掺杂区下且具有一第二掺杂浓度及与该第一导电型态相反的一第二导电型态，其中该第一掺杂浓度和该第二掺杂浓度中至少一者为不均匀且该第一掺杂浓度大于该第二掺杂浓度。

2.根据权利要求1所述的影像感测器结构，其特征在于，该第一掺杂浓度沿该隔离区至该栅极的方向减少。

3.根据权利要求1或2所述的影像感测器结构，其特征在于，该第二掺杂浓度沿该栅极至该隔离区的方向减少。

4.根据权利要求1所述的影像感测器结构，其特征在于，该嵌入式光二极管还包括：

一第一深掺杂区，具有该第二导电型态且设置于该第二掺杂区下；

一第二深掺杂区，具有该第二导电型态且设置于该第一深掺杂区下；以及

一第三深掺杂区，具有该第二导电型态且设置于该第二深掺杂区下，其中该第一深掺杂区、该第二深掺杂区和该第三深掺杂区从该栅极往第一井区延伸。

5.根据权利要求4所述的影像感测器结构，其特征在于，该第一掺杂区、该第一深掺杂区、该第二深掺杂区和该第三深掺杂区分别具有一第一长度、一第一延伸长度、一第二延伸长度和一第三延伸长度，且该第一长度大于该第一延伸长度，该第一延伸长度大于该第二延伸长度，该第二延伸长度大于该第三延伸长度。

6.根据权利要求4所述的影像感测器结构，其特征在于，该第一深掺杂区、该第二深掺杂区和该第三深掺杂区分别具有一第三掺杂浓度、一第四掺杂浓度和一第五掺杂浓度，且该第二掺杂浓度大于该第三掺杂浓度，该第三掺杂浓度大于或等于该第四掺杂浓度，且该第四掺杂浓度大于或等于该第五掺杂浓度。

7.根据权利要求1所述的影像感测器结构，其特征在于，该第一掺杂区与该第一井区直接接触。

8.一种影像感测器结构的形成方法，其特征在于，包括：

提供具有一第一导电型态的一基底；

形成一第一井区和一第二井区于该基底中，其中该第一井区和该第二井区彼此分开；

形成一隔离区于该第一井区中；

形成一栅极于该基底上且于该第一井区和该第二井区之间；以及

形成一嵌入式光二极管于该基底中且于该第一井区和该第二井区之间，其中该嵌入式二极管包括：形成一第一掺杂区于该基底中，且该第一掺杂区具有一第一掺杂浓度及该第一导电型态；以及形成一第二掺杂区于该第一掺杂区下，且该第二掺杂区具有一第二掺杂浓度及与该第一导电型态相反的一第二导电型态，其中该第一掺杂浓度和该第二掺杂浓度中至少一者为一不均匀的掺杂浓度且该第一掺杂浓度大于该第二掺杂浓度。

9.根据权利要求8所述的影像感测器结构的形成方法，其特征在于，该第一掺杂浓度沿该隔离区至该栅极的方向减少。

10.根据权利要求8或9所述的影像感测器结构的形成方法，其特征在于，该第二掺杂浓度沿该栅极至该隔离区的方向减少。

11.根据权利要求8所述的影像感测器结构的形成方法，其特征在于，该嵌入式光二极管还包括：

形成一第一深掺杂区于该第二掺杂区下，且该第一深掺杂区具有该第二导电型态；

形成一第二深掺杂区于该第一深掺杂区下，且该第二深掺杂区具有该第二导电型态；以及

形成一第三深掺杂区于该第二深掺杂区下，且该第三深掺杂区具有该第二导电型态，其中该第一深掺杂区、该第二深掺杂区和该第三深掺杂区从该栅极往第一井区延伸。