[发明专利]非易失性存储器装置、其操作方法和存储器系统

权利要求书

1.一种非易失性存储器装置，包括：

存储器单元阵列，包括多个存储器单元，每个存储器单元被配置为被编程为多种状态中的一种状态；

页缓冲器电路，包括多个页缓冲器，每个页缓冲器被配置为存储接收的数据作为状态数据，状态数据指示所述多个存储器单元中的相应的存储器单元的目标状态，页缓冲器电路被配置为：在对所述多个存储器单元中的选择的存储器单元执行编程操作期间执行将第一状态数据排序改变为第二状态数据排序的状态数据重新排序操作，第一状态数据排序指示状态数据的多个数据值与所述多种状态之间的参考映射；以及

重新排序控制电路，被配置为控制页缓冲器电路与编程操作同时执行状态数据重新排序操作。

2.根据权利要求1所述的非易失性存储器装置，其中，

所述多个页缓冲器中的每个包括数据锁存器，数据锁存器被配置为分别存储状态数据的比特；并且

状态数据重新排序操作包括对数据锁存器的多个转储操作。

3.根据权利要求1所述的非易失性存储器装置，其中，重新排序控制电路被配置为：基于被设置为将第一状态数据排序改变为第二状态数据排序的重新排序序列，来控制页缓冲器电路改变存储在所述多个页缓冲器中的每个中的状态数据的数据值。

4.根据权利要求3所述的非易失性存储器装置，其中，第二状态数据排序被设置为减少基于设置的编程算法对选择的存储器单元执行编程操作的时间。

5.根据权利要求1所述的非易失性存储器装置，其中，页缓冲器电路被配置为：在编程电压被施加到选择的存储器单元的编程电压施加时段、在编程电压被施加之后在验证读取电压被施加之前地电压被施加到字线的编程恢复时段以及在编程电压被施加之后执行验证读取操作的验证时段中的至少一个时段中执行状态数据重新排序操作。

6.根据权利要求1所述的非易失性存储器装置，其中，页缓冲器电路被配置为在编程电压最初被施加到选择的存储器单元的时段中执行状态数据重新排序操作。

7.根据权利要求1所述的非易失性存储器装置，其中，重新排序控制电路被配置为：

基于编程电压被施加到选择的存储器单元的时间和验证读取操作被执行的时间中的至少一个，将包括在状态数据重新排序操作中的多个操作划分为至少两个重新排序序列；以及

从包括多个编程电压施加时段、多个编程恢复时段和多个验证时段的一组时段确定所述至少两个重新排序序列将被执行的至少两个时段。

8.根据权利要求7所述的非易失性存储器装置，其中，

页缓冲器电路被配置为：在所述多个编程电压施加时段中的至少两个时段中顺序执行所述至少两个重新排序序列。

9.根据权利要求7所述的非易失性存储器装置，其中，

页缓冲器电路被配置为：在所述多个编程电压施加时段中的至少一个和所述多个验证时段中的至少一个中顺序执行所述至少两个重新排序序列。

10.根据权利要求7所述的非易失性存储器装置，其中，

基于所述至少两个重新排序序列中的第一序列被执行，第一状态数据排序被改变为指示改变的映射的中间状态数据排序；并且

在执行第一序列之后，基于根据中间状态数据排序设置的编程算法来执行编程操作。

11.一种操作非易失性存储器装置的方法，所述方法包括：

接收数据；

将数据作为状态数据存储在连接到存储器单元阵列的多个页缓冲器中；

基于存储在所述多个页缓冲器中的状态数据，对存储器单元阵列的多个存储器单元进行编程；以及

在对所述多个存储器单元进行编程的同时，改变存储在所述多个页缓冲器中的每个中的状态数据的数据值，以对状态数据进行重新排序。