[发明专利]一种存储器件及其制作方法、存储器及电子设备

权利要求书

1.一种存储器件，其特征在于，包括：形成在衬底上的阻变元件；所述阻变元件包括底电极，顶电极，以及位于所述底电极和所述顶电极之间的阻变层；其中，所述底电极、所述阻变层和所述顶电极所含有的材料均为钽材料。

2.根据权利要求1所述的存储器件，其特征在于，所述阻变层所含有的钽材料为钽基氧化物；所述底电极和/或所述顶电极所含有的钽材料为钽基导电物。

3.根据权利要求1所述的存储器件，其特征在于，所述存储器件还包括扩散阻挡层，所述扩散阻挡层位于所述阻变层与所述顶电极之间。

4.根据权利要求3所述的存储器件，其特征在于，所述扩散阻挡层所含有的材料为钽。

5.根据权利要求1～4任一项所述的存储器件，其特征在于，所述阻变层包括多层阻变层；多个所述阻变层的绝缘性沿着远离所述底电极的方向逐渐减小。

6.根据权利要求1～4任一项所述的存储器件，其特征在于，所述阻变层包括第一阻变层和第二阻变层，所述第一阻变层形成在所述底电极背离所述衬底的表面，所述第二阻变层位于所述第一阻变层与所述顶电极之间；

所述第一阻变层所含有的材料为TaO_x，1.7＜x＜2.1，所述第二阻变层所含有的材料为TaO_y，0.25＜y＜1.2。

7.根据权利要求1～4任一项所述的存储器件，其特征在于，所述存储器件还包括介电层，所述介电层位于所述衬底与所述底电极之间。

8.一种存储器件的制作方法，其特征在于，包括：

提供一衬底；

在所述衬底的表面上方形成底电极；

在所述底电极背离所述衬底的表面形成阻变层；

在所述阻变层背离所述衬底的上方形成顶电极；所述底电极、所述阻变层和所述顶电极所含有的材料均为钽材料。

9.根据权利要求8所述的存储器件的制作方法，其特征在于，所述阻变层所含有的钽材料为钽基氧化物；所述底电极和/或所述顶电极所含有的钽材料为钽基导电物。

10.根据权利要求8所述的存储器件的制作方法，其特征在于，在所述底电极背离所述衬底的表面形成所述阻变层包括：

采用磁控溅射工艺在所述底电极背离所述衬底的上方形成所述阻变层。

11.根据权利要求8所述的存储器件的制作方法，其特征在于，在所述底电极背离所述衬底的表面形成所述阻变层后，在所述阻变层背离所述衬底的上方形成所述顶电极前，所述存储器件的制作方法还包括：

在所述阻变层背离所述衬底的表面形成扩散阻挡层。

12.根据权利要求11所述的存储器件的制作方法，其特征在于，所述扩散阻挡层所含有的材料为钽。

13.根据权利要求8～12任一项所述的存储器件的制作方法，其特征在于，所述阻变层包括多层阻变层，多个所述阻变层的绝缘性沿着远离所述底电极的方向逐渐减小。

14.根据权利要求8～12任一项所述的存储器件的制作方法，其特征在于，所述阻变层包括第一阻变层和第二阻变层，所述第一阻变层形成在所述底电极背离所述衬底的表面，所述第二阻变层位于所述第一阻变层与所述顶电极之间；

所述第一阻变层所含有的材料为TaO_x，1.7＜x＜2.1，所述第二阻变层所含有的材料为TaO_y，0.25＜y＜1.2。

15.根据权利要求8～12任一项所述的存储器件的制作方法，其特征在于，提供一所述衬底后，在所述衬底的表面上方形成所述底电极前，所述存储器件的制作方法还包括：

在所述衬底的表面形成介电层。