[发明专利]OLED显示面板及屏下光学指纹识别方法在审
申请号: | 202010082959.X | 申请日: | 2020-02-07 |
公开(公告)号: | CN111276517A | 公开(公告)日: | 2020-06-12 |
发明(设计)人: | 刘杰 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;G06K9/00 |
代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 吕姝娟 |
地址: | 430079 湖北省武汉市东湖新技术*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | oled 显示 面板 光学 指纹识别 方法 | ||
一种OLED显示面板及屏下光学指纹的识别方法,所述OLED显示面板包括:多个半导体器件层,半导体器件对应有机电致发光器件进行设置,用以驱动有机电致发光器件,使有机电致发光器件层进行发光;每个半导体器件层中包含多个膜层;多个有机电致发光器件,分布于OLED功能层中,每个有机电致发光器件包括阳极层、阴极层以及设置阳极层和阴极层之间的有机发光单元,其中,所述阴极层仅覆盖所述有机发光单元背离所述阳极层一侧的区域;有益效果为:首先,通过将金属层的材质替换为透明的金属氧化物—氧化铟锡,增大了OLED显示面板的透光率,从而提高了指纹识别的准确度。
技术领域
本申请涉及显示领域,特别是涉及一种OLED显示面板及屏下光学指纹识别方法。
背景技术
OLED(Orgnic Light-Emitting Diode,有机发光二极管)显示面板由于其广视角、高柔韧性等特点被广泛应用于各种电子设备中。而现有的全面屏OLED显示面板的屏占比和指纹占比也越来越高,现在一般的指纹识别有两种:电容式指纹识别和光学式指纹识别;电容式指纹识别技术利用手指的嵴和峪与感应电极之间所形成的电容值的大小来探测手指嵴和峪的位置从而形成指纹图像信息。但是电容式指纹技术需要在屏幕的指纹触摸处设置触觉开关、电容元件和指纹识别传感器等设备,一方面提高了制程时间,另一方面提高了设计成本,且该技术的指纹识别无法设置于显示区,所以目前基本被淘汰。而光学指纹技术则是采用终OLED显示屏幕作为发光源,通过照射到手指的指纹,返回的光线再返回到屏幕下方的图像传感器(Sensor),终端设备针对返回的图像与数据库进行分析对比,最终识别指纹,但金属层均采用钼/铝/钛等金属材料制作,透光性较差;且阴极层一般还是采用共用金属掩膜板在薄膜晶体管基板上进行镀膜,使得非发光区域的透光率很低。
但现有的光学指纹识别普遍存在透光率低,指纹识别的准确度不高的问题。
因此,现有的OLED显示面板技术中,还存在着光学式指纹识别的OLED显示面板的透光率较低,指纹识别的准确度不高的问题,急需改进。
发明内容
本申请涉及一种OLED显示面板及屏下光学指纹识别方法,用于解决现有技术中存在着的光学式指纹识别的OLED显示面板的透光率较低,指纹识别的准确度不高的问题。
为解决上述问题,本申请提供的技术方案如下:
本申请提供的一种OLED显示面板,包括:多个半导体器件层,所述半导体器件对应有机电致发光器件进行设置,用以驱动有机电致发光器件,使有机电致发光器件层进行发光;每个半导体器件层中包含多个膜层;
OLED功能层,包括多个有机电致发光器件,分布于OLED功能层中,每个有机电致发光器件包括阳极层、阴极层以及设置阳极层和阴极层之间的有机发光单元,其中,所述阴极层仅覆盖所述有机发光单元背离所述阳极层一侧的区域。
根据本申请提供的一实施例,半导体器件层包括:依次层叠设置的衬底基板、有源层、第一绝缘层、第一金属层、第二绝缘层、第二金属层、第三绝缘层。
根据本申请提供的一实施例,所述第一金属层和所述第二金属层的材料均采用透明的氧化铟锡。
根据本申请提供的一实施例,第一绝缘层、第二绝缘层和第三绝缘层的材料相同。
根据本申请提供的一实施例,有源层采用非晶硅、多晶硅或是铟镓锌氧化物材料;第一绝缘层采用氧化硅、氮化硅或是氮氧化硅材料;阳极层采用氧化铟锡或是氧化铟锡/银/氧化铟锡材料。
根据本申请提供的一实施例,所述OLED功能层还设置有像素界定层;所述像素界定层与阴极层背离衬底基板一侧还依次层叠设置有薄膜封装层、触控电极层以及盖板层。
根据本申请提供的一实施例,薄膜封装层分为:第一无机封装层、有机封装层和第二无机封装层。
根据本申请提供的一实施例,盖板层为“U”字形。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的