[发明专利]一种OLED显示面板及OLED显示装置在审
申请号: | 202010082961.7 | 申请日: | 2020-02-07 |
公开(公告)号: | CN111261689A | 公开(公告)日: | 2020-06-09 |
发明(设计)人: | 张娣 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 张晓薇 |
地址: | 430079 湖北省武汉市东湖新技术*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 oled 显示 面板 显示装置 | ||
本发明提供一种OLED显示面板,包括多个第一颜色子像素、多个第二颜色子像素以及多个第三颜色子像素,所述第一颜色子像素、所述第二颜色子像素以及所述第三颜色子像素组成多个重复单元,所述重复单元包括第一重复单元和第二重复单元,所述重复单元的排列方式为矩阵式排列,所述第一重复单元和所述第二重复单元在任一行或任一列均间隔排列。本发明通过将OLED显示面板的发光区的像素设计为矩阵式排列的多个第一重复单元和多个第二重复单元,且所述第一重复单元和所述第二重复单元在任一行或任一列均间隔排列,使得相邻且出光颜色相同的两个子像素共用一个掩膜版开口进行蒸镀,在不增加生产成本的前提下,可降低掩膜版张网变形的风险。
技术领域
本发明涉及显示技术领域,尤其涉及一种OLED显示面板及OLED显示装置。
背景技术
OLED(Organic Light-Emitting Diode,有机发光二极管)显示面板是下一代新型显示技术和照明技术,应用前景巨大。一般情况下,OLED显示面板屏体的发光层是通过有机材料经高精细金属掩膜版(FMM,fine metal mask)蒸镀而成。RGB三原色子像素排布结构不同,将影响OLED显示面板的分辨率和FMM的制作方式和制作良率。
目前OLED显示面板的发光区设计分为:RGB条状排列设计和子像素渲染设计。RGB条状排列设计通常应用于Pad等大屏设计,对分辨率要求略低,显示效果更佳,然而像素排布致密,导致FMM张网存在较高要求。针对小尺寸,常用的RGB条状排列设计FMM开通孔是比较好的解决方案。但对于较大尺寸,FMM开通孔存在较大的张网变形风险,制程难以控制,现有制程采用每种颜色用FMM蒸镀两次的方法来解决该问题,然而成本较高。故,有必要改善这一缺陷。
发明内容
本发明实施例提供一种OLED显示面板,用于解决现有技术的大尺寸OLED显示面板,其发光区的像素为RGB条状排列设计,若采用掩膜版开通孔蒸镀的方式,会导致掩膜版张网容易变形的技术问题;若采用单色蒸镀两次的方式,会导致生产成本较高的技术问题。
本发明实施例提供一种OLED显示面板,所述OLED显示面板包括多个第一颜色子像素、多个第二颜色子像素以及多个第三颜色子像素。所述第一颜色子像素、所述第二颜色子像素以及所述第三颜色子像素组成多个重复单元。其中,所述第二颜色子像素的出光面积分别小于所述第一颜色子像素和所述第三颜色子像素的出光面积。所述重复单元包括第一重复单元和第二重复单元。所述第一重复单元的像素排布结构为所述第二颜色子像素位于中下部,所述第一颜色子像素位于所述第二颜色子像素的第一方向,所述第三颜色子像素位于所述第二颜色子像素的第一方向的反方向;所述第二重复单元的像素排布结构为所述第二颜色子像素位于中上部,所述第三颜色子像素位于所述第二颜色子像素的第一方向,所述第一颜色子像素位于所述第二颜色子像素的第一方向的反方向。所述重复单元的排列方式为矩阵式排列,所述第一重复单元和所述第二重复单元在任一行或任一列均间隔排列。其中,相邻且出光颜色相同的两个子像素共用一个掩膜版开口,所述掩膜版开口在所述重复单元上的投影与像素定义层之间的间距范围为0至15微米。
进一步的,位于同一个掩膜版开口内的两个子像素之间的最小间距的范围为5微米至12微米。
进一步的,相邻且出光颜色不同的两个子像素之间的最小间距的范围为大于两倍的所述掩膜版开口在所述重复单元上的投影与像素定义层之间的间距。
进一步的,所述第一颜色子像素、所述第二颜色子像素以及所述第三颜色子像素分别所对应的掩膜版开口之间的最小间距的范围均为大于或者等于10微米。
进一步的,所述第一颜色子像素和所述第三颜色子像素分别所对应的掩膜版开口之间的最小间距相等。
进一步的,所述第一颜色子像素、所述第二颜色子像素以及所述第三颜色子像素分别为红色子像素、绿色子像素以及蓝色子像素。
进一步的,所述红色子像素的出光面积与所述蓝色子像素的出光面积大小相等。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的