[发明专利]显示器件及其制备方法有效
申请号: | 202010082962.1 | 申请日: | 2020-02-07 |
公开(公告)号: | CN111129353B | 公开(公告)日: | 2021-01-01 |
发明(设计)人: | 王璟 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L51/52 | 分类号: | H01L51/52;H01L51/56 |
代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 吕姝娟 |
地址: | 430079 湖北省武汉市东湖新技术*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 器件 及其 制备 方法 | ||
1.一种显示器件,其特征在于,包括:
有机发光器件;
薄膜封装层,覆于所述有机发光器件上;
疏水薄膜,覆于所述薄膜封装层上;
其中,所述疏水薄膜上具有至少一第一图案;
所述显示器件具有至少两个非弯折区以及连接所述非弯折区的弯折区;
在所述弯折区上具有一弯折线,所述弯折区沿所述弯折线弯折;
所述第一图案包括:
至少两块镂空部,相互对应设于所述弯折区的两侧,所述镂空部贯穿所述疏水薄膜;
掩盖部,包围所述镂空部;
其中,位于两块镂空部之间的掩盖部对应于所述弯折线。
2.如权利要求1所述的显示器件,其特征在于,所述掩盖部上具有若干凹槽,所述凹槽横纵交错地贯穿所述疏水薄膜所在层;
所述凹槽具有至少两个槽壁,两个槽壁之间具有一夹角,所述夹角的角度小于180°;
所述显示器件在所述弯折区具有一弯折半径R,所述凹槽的贯穿长度为L,所述L满足以下公式:LπR。
3.如权利要求1所述的显示器件,其特征在于,在所述弯折区内,所述掩盖部远离所述镂空部的至少一侧具有锯齿形结构。
4.一种如权利要求1所述的显示器件的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
制备一掩膜板;
提供一基层:所述基层中包括有机发光器件以及覆于所述有机发光器件上的薄膜封装层;
在所述薄膜封装层上利用所述掩膜板通过沉积法形成一疏水薄膜;
其中,所述掩膜板上具有第二图案,所述第二图案包括:
至少两个第一遮挡部,对应于所述疏水薄膜的镂空部;
透孔部,包围所述第一遮挡部,并对应于所述疏水薄膜的掩盖部;
第二遮挡部,包围所述透孔部。
5.如权利要求4所述的显示器件的制备方法,其特征在于,所述第二图案还包括:
若干第三遮挡部,穿过所述透孔部连接所述第一遮挡部和所述第二遮挡部,并对应于所述疏水薄膜的凹槽。
6.如权利要求5所述的显示器件的制备方法,其特征在于,所述掩膜板上若干阴影斜面,设于所述第二遮挡部和所示所述第三遮挡部上,并朝向所述透孔部;
每一阴影斜面均位于所示掩膜板的同一表面上;
所述第三遮挡部的截面宽度为D;所述阴影斜面的水平宽度为W;
所述D与所述W之间满足以下公式:D≤2*W。
7.如权利要求4所述的显示器件的制备方法,其特征在于,所述第二图案具有至少两个第一区以及连接所述第一区的第二区;所述第一区对应于所述疏水薄膜的非弯折区,所述第二区对应于所述疏水薄膜的弯折区;
在所示第二区内,所述第二遮挡部朝向所述透孔的一侧上具有锯齿形结构。
8.如权利要求4所述的显示器件的制备方法,其特征在于,所述沉积法为等离子化学气相沉积法、低气压等离子化学气相沉积法、射频脉冲低气压等离子化学气相沉积法、微波等离子化学气相沉积法、大气压等离子化学气相沉积法中的至少一种。
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