[发明专利]远程氮等离子体掺杂过渡金属硫族化合物的方法在审
| 申请号： | 202010083046.X | 申请日： | 2020-02-07 |
| 公开（公告）号： | CN111312579A | 公开（公告）日： | 2020-06-19 |
| 发明（设计）人： | 孙正宗;轩宁宁;包文中 | 申请（专利权）人： | 复旦大学 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;C23C8/36;C23C8/02 |
| 代理公司： | 上海正旦专利代理有限公司 31200 | 代理人： | 陆飞;陆尤 |
| 地址： | 200433 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 远程 等离子体 掺杂 过渡 金属 化合物 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种远程氮等离子体掺杂过渡金属硫族化合物的方法，其特征在于，具体步骤为：
（1）采用机械剥离或者化学气相沉积法制备单层或少层的过渡金属硫族化合物；
（2）将过渡金属硫族化合物样品放入远程氮等离子体装置，样品位置距等离子体产生辉光的尾部为0~60 cm；体系采用高真空系统，压力为10-3 Pa，通入氮气，在功率为1~1000W的条件下处理1~1200 s，即制备得不同氮掺杂浓度的过渡金属硫族化合物。
2. 根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述过渡金属硫族化合物为MX2，其中，M为Ti、 Zr、Hf、V、Nb、Ta、Mo、W、Re或Pt；X为S、Se或Te。
3. 根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述通入的氮气流速为1~5 sccm。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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