[发明专利]混合内存模块以及操作混合内存模块的系统和方法

说明书

一种内存模块包括：易失性内存子系统，用于耦合到计算机系统中的内存通道且能够充当计算机系统的主内存；非易失性内存子系统，其为计算机系统提供存储装置；和模块控制器，其耦合到易失性内存子系统、非易失性内存子系统和C/A总线。模块控制器用于控制在易失性内存子系统和非易失性内存子系统之间的模块内数据传送。该模块控制器进一步用于监视C/A总线上的C/A信号，且根据C/A信号调度模块内数据传送，使得模块内数据传送不与内存控制器对易失性内存子系统的存取冲突。

相关申请案的交叉引用

本申请案主张以下各申请案的优先权：2013年11月7日提交的名称为“对非易失性内存的动态随机存取(Dynamic Random Access to Non-Volatile Memory)”的第61/901,439号美国临时专利申请案，2014年1月21日提交的名称为“内存通道存储(Memory ChannelStorage)”的第61929942号美国临时专利申请案，2014年8月22日提交的名称为“用于传送存储内容的设备和方法(Apparatus and Methods for Transferring Storage Content)”的第62/041,024号美国临时专利申请案，2014年9月26日提交的名称为“内存通道存储(Memory Channel Storage)”的第62/056,469号美国临时专利申请案，以及2014年10月22日提交的名称为“用于随机存取的混合移动内存(Hybrid Mobile Memory for RandomAccess)”的第62/067,411号美国临时专利申请案，所述申请案中的每一个以全文引用的方式并入本文中。本申请案与2011年7月28日提交的名称为“高密度DIMM(High DensityDIMMs)”的第61/512,871号美国临时专利申请案以及2012年7月26日提交的名称为“闪存DRAM混合内存模块(Flash DRAM Hybrid Memory Module)”的第13/559,476号美国专利申请案有关，所述申请案中的每一个以全文引用的方式并入本文中。本申请还要求于2014年5月7日提交的、名称为“高密度混合存储系统”的第61/989,941号美国临时专利申请的优先权。

技术领域

本专利申请大体上涉及内存模块，并且更具体来说，涉及具有易失性子系统和非易失性子系统两者的混合内存模块，以及操作混合内存模块的系统和方法。

背景技术

计算机系统很大程度上依赖于其系统或主内存的容量和吞吐量以及在最优性能下对所述计算机系统进行存取的速度，例如网络服务器、个人计算机、PDA、移动电话、视频游戏、科学仪器仪表、工业机器人、医疗电子器件等等。当前，动态随机存取内存(DRAM)常用作系统内存。DRAM是一种将数据的每个位存储在集成电路中的单独电容器中的随机存取内存。该电容器可以充电或放电，以至于可采用常规称为0和1的这两个状态来表示一位的两个值。因为电容器漏电，所以除非周期性地刷新电容器电荷，否则信息最终会逐渐消失。因为此刷新的需求，所以DRAM是一种与SRAM和其它静态内存相反的动态内存。

DRAM的结构简单性允许DRAM芯片达到非常高的密度，因为数十亿个晶体管和电容器对可以装配在单一内存芯片上。另一方面，DRAM是易失性内存，也即当去除电力时，其将快速丢失其数据。闪存内存是一种可以被电擦除且重新编程的电子非易失性计算机存储媒体。与闪存内存相比，DRAM还贵得多。例如，高密度DRAM的费用可超过高性能闪存装置的10倍。此外，因闪存芯片可具有比DRAM芯片高得多的密度，所以允许设定成相同大小的内存模块以更多的封装，从而达到大得多的内存容量。