[发明专利]有源矩阵基板及具备该有源矩阵基板的光电转换拍摄面板

权利要求书

1.一种有源矩阵基板，其特征在于，具备：

栅极线；

数据线，其与所述栅极线交叉；

光电转换元件，其设置于由所述栅极线与所述数据线限定的像素，并与所述数据线电连接；

偏置布线，其与所述光电转换元件连接，并向所述光电转换元件供给偏压；

第一保护电路，其与所述数据线连接；

第二保护电路，其与所述栅极线连接；以及

第三保护电路，其与所述偏置布线连接，

所述第一保护电路、所述第二保护电路、以及所述第三保护电路分别包含至少一个非线形元件，

所述第一保护电路中的非线形元件与所述第二保护电路和所述第三保护电路中的至少一方的非线形元件相比为高电阻。

2.根据权利要求1所述的有源矩阵基板，其特征在于，

所述至少一个非线形元件由薄膜晶体管构成，

所述第一保护电路中的所述薄膜晶体管的沟道长与所述第二保护电路和所述第三保护电路中的至少一方的所述薄膜晶体管的沟道长相比较长。

3.根据权利要求1所述的有源矩阵基板，其特征在于，

所述至少一个非线形元件由薄膜晶体管构成，

所述第一保护电路中的所述薄膜晶体管的沟道宽与所述第二保护电路和所述第三保护电路中的至少一方的所述薄膜晶体管的沟道宽相比较短。

4.根据权利要求2所述的有源矩阵基板，其特征在于，

所述第一保护电路中的所述薄膜晶体管使用氧化物半导体来构成。

5.根据权利要求2所述的有源矩阵基板，其特征在于，

所述第一保护电路中的所述薄膜晶体管具有由多晶低温多晶硅构成的半导体层。

6.根据权利要求4所述的有源矩阵基板，其特征在于，

所述第一保护电路具备：第一薄膜晶体管，其具有第一导电型的半导体层；以及第二薄膜晶体管，其具有与所述第一导电型相反的第二导电型的半导体层。

7.根据权利要求1所述的有源矩阵基板，其特征在于，

所述光电转换元件与所述第一保护电路中的非线形元件分别使用光电二极管来构成。

8.根据权利要求2所述的有源矩阵基板，其特征在于，

还具备：共用布线，其供给比所述数据线的电位低的规定的基准电压，

所述第一保护电路具备与所述共用布线连接的一个薄膜晶体管，在所述第一保护电路的薄膜晶体管中，栅极和漏极与所述共用布线连接，源极与所述数据线连接，

所述第二保护电路与所述共用布线连接并具备并联连接的一对薄膜晶体管，在所述一对薄膜晶体管中的、一方的薄膜晶体管中，栅极和源极与所述栅极线连接，漏极与所述共用布线连接，在另一方的薄膜晶体管中，栅极和漏极与所述共用布线连接，源极与所述栅极线连接。

9.根据权利要求2所述的有源矩阵基板，其特征在于，

还具备：共用布线，所述共用布线供给比所述数据线的电位低的规定的基准电压，

所述第一保护电路、所述第二保护电路、以及所述第三保护电路分别与所述共用布线连接，并具备相互并联连接的一对薄膜晶体管，

在所述第一保护电路中的所述一对薄膜晶体管中的一方的薄膜晶体管中，栅极和源极与所述数据线连接，漏极与所述共用布线连接，在另一方的薄膜晶体管中，栅极和漏极与所述共用布线连接，源极与所述数据线连接，

在所述第二保护电路中的所述一对薄膜晶体管中的一方的薄膜晶体管中，栅极和源极与所述栅极线连接，漏极与所述共用布线连接，在另一方的薄膜晶体管中，栅极和漏极与所述共用布线连接，源极与所述栅极线连接，

在所述第三保护电路中的所述一对薄膜晶体管中的一方的薄膜晶体管中，栅极和源极与偏置布线连接，漏极与所述共用布线连接，在另一方的薄膜晶体管中，栅极和漏极与所述共用布线连接，源极与所述偏置布线连接。