[发明专利]用于平面基底图形化的二氧化硅微球阵列及其制备方法在审
| 申请号： | 202010086318.1 | 申请日： | 2020-02-11 |
| 公开（公告）号： | CN111282785A | 公开（公告）日： | 2020-06-16 |
| 发明（设计）人： | 梁继然;张珂;樊雅婕;于立泽 | 申请（专利权）人： | 天津大学 |
| 主分类号： | B05D1/20 | 分类号： | B05D1/20;C04B41/50 |
| 代理公司： | 天津市北洋有限责任专利代理事务所 12201 | 代理人： | 琪琛 |
| 地址： | 300072*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 用于 平面 基底 图形 二氧化硅 阵列 及其 制备 方法 | ||
1.一种用于平面基底图形化的二氧化硅微球阵列制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
(1)蓝宝石基片的清洗：
将蓝宝石基片依次放入去离子水、无水乙醇和丙酮中，分别超声清洗，以去除表面的有机杂质；再用去离子水洗净，最后将蓝宝石基片放入恒温干燥箱中烘干，以后备用；
(2)二氧化硅微球溶液的配制：
将二氧化硅微球粉末，将其加入离心管中，倒入正丁醇，配置浓度为0.33-0.5mg/ml的溶液；离心管超声至悬浊液均匀分散呈乳白色；
(3)SiO2微球液膜制备：
在称量瓶中加入去离子水过半，静置，然后沿称量瓶的边沿缓慢滴加步骤(2)配置的溶液；同时称量瓶在加热台上加热，使正丁醇在液面上迅速扩散，固体球凝结成片层，在液面上形成均匀单层二氧化硅微球薄膜；
(4)提拉镀膜机镀膜
利用提拉镀膜机将步骤(3)获得的液面表面的单层二氧化硅微球转移至蓝宝石平面基片；
(5)加热烘干
将步骤(4)获得的表面涂有二氧化硅微球的蓝宝石基片放置于加热台上烘干坚膜，蒸发多余的水和有机溶液。
2.根据权利要求1所述用于平面基底图形化的二氧化硅微球阵列制备方法，其特征在于，所述步骤(3)滴加步骤(2)配置的溶液，滴入量为1ml；所述加热台温度为90℃。
3.根据权利要求1所述用于平面基底图形化的二氧化硅微球阵列制备方法，其特征在于，所述步骤(4)提拉速度为0.03mm/min-0.06mm/min。
4.权利要求1-3任意一项权利要求所述方法制备得到的二氧化硅微球阵列。
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