[发明专利]一种阵列基板、其制作方法及显示面板、显示装置有效
申请号: | 202010086997.2 | 申请日: | 2020-02-11 |
公开(公告)号: | CN111276494B | 公开(公告)日: | 2022-06-24 |
发明(设计)人: | 李广耀;张晓东;桂学海;李小飞;郝朝威;孙学超;尹海报;梁启斌;刘融;蔡伟;冯波 | 申请(专利权)人: | 合肥鑫晟光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L27/02;H01L27/32;G02F1/1333 |
代理公司: | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人: | 刘源 |
地址: | 230012 *** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 阵列 制作方法 显示 面板 显示装置 | ||
1.一种阵列基板的制作方法,其特征在于,包括:
提供一衬底基板;
在所述衬底基板上形成包括多个级联的移位寄存器单元的栅极驱动电路,在栅金属层沿第一方向延伸且与各所述移位寄存器单元一一对应电连接的多条栅线,在源漏金属层沿第二方向延伸的多条信号线,在所述第一方向上延伸且与各所述信号线的一端通过一一对应的第一开关元件电连接的第一静电释放走线,以及与所述第一静电释放走线电连接且复用为基板测试端子的静电释放端子;所述第一开关元件包括两个电容和一个晶体管,所述晶体管的第一极与所述第一静电释放走线电连接,第二极与所述信号线电连接,其中一个电容电连接于所述晶体管的第一极与栅极之间,另一个电容电连接于所述晶体管的第二极与栅极之间;
控制各所述移位寄存器单元独立对各所述栅线加载第一信号,并通过开短路测试设备依次经由所述静电释放端子、所述第一静电释放走线、所述第一开关元件对各所述信号线加载第二信号,以确定发生短路的所述信号线,其中,所述第一信号与所述第二信号的极性相反;
控制各所述移位寄存器单元独立对各所述栅线加载所述第一信号,并通过所述开短路测试设备依次经由所述静电释放端子、所述第一静电释放走线、所述第一开关元件对发生短路的所述信号线加载所述第二信号后,采用光学检测仪和热红外成像仪确定发生短路的所述信号线上的短路位置;
对所述短路位置进行维修。
2.如权利要求1所述的制作方法,其特征在于,在形成在所述第一方向上延伸且与各所述信号线的一端通过一一对应的第一开关元件电连接的第一静电释放走线的同时,还包括:
形成在所述第一方向上延伸且与各所述信号线的另一端通过一一对应的第二开关元件电连接的第二静电释放走线,以及在所述第二方向上延伸且与各所述栅线的两端通过一一对应的第三开关元件分别电连接的两条第三静电释放走线;
所述第二开关元件包括两个电容和一个晶体管,所述晶体管的第一极与所述第二静电释放走线电连接,第二极与所述信号线电连接,其中一个电容电连接于所述晶体管的第一极与栅极之间,另一个电容电连接于所述晶体管的第二极与栅极之间;
所述第三开关元件包括两个电容和一个晶体管,所述晶体管的第一极与所述第三静电释放走线电连接,第二极与所述栅线电连接,其中一个电容电连接于所述晶体管的第一极与栅极之间,另一个电容电连接于所述晶体管的第二极与栅极之间。
3.如权利要求2所述的制作方法,其特征在于,在对所述短路位置进行维修之后,还包括:
将所述信号线、两条所述第三静电释放走线均与第一覆晶薄膜进行绑定,并将所述静电释放端子和所述栅极驱动电路均与第二覆晶薄膜进行绑定;或者,将所述信号线、两条所述第三静电释放走线和所述静电释放端子均与第一覆晶薄膜进行绑定,并将所述栅极驱动电路与第二覆晶薄膜进行绑定。
4.如权利要求2所述的制作方法,其特征在于,在对所述短路位置进行维修之后,还包括:
去除所述静电释放端子;
将所述信号线、两条所述第三静电释放走线均与第一覆晶薄膜进行绑定,并将所述第一静电释放走线和所述栅极驱动电路均与第二覆晶薄膜进行绑定;或者,将所述信号线、所述第一静电释放走线和两条所述第三静电释放走线均与第一覆晶薄膜进行绑定,并将所述栅极驱动电路与第二覆晶薄膜进行绑定。
5.如权利要求3或4所述的制作方法,其特征在于,在将所述信号线、两条所述第三静电释放走线均与第一覆晶薄膜进行绑定的同时,还包括:
将所述信号线、所述第二静电释放走线和两条所述第三静电释放走线均与第三覆晶薄膜进行绑定,所述第一覆晶薄膜与所述第三覆晶薄膜分居各所述信号线的两端。
6.如权利要求3或4所述的制作方法,其特征在于,将所述栅极驱动电路与第二覆晶薄膜进行绑定,具体包括:
将所述栅极驱动电路通过走线或连接端子与所述第二覆晶薄膜进行绑定。
7.如权利要求1-4任一项所述的制作方法,其特征在于,在源漏金属层形成沿第二方向延伸的多条信号线,具体包括:
在源漏金属层,通过一次构图工艺形成在所述第二方向上延伸的多条数据线、多条高电平信号线和多条感应线。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的