[发明专利]一种烷氧基修饰的低碱型受阻胺类光稳定剂及制备与应用

权利要求书

1.一种烷氧基修饰的低碱型受阻胺类光稳定剂，其特征在于，该光稳定剂的结构式为其中R为C1-C6的直链烷基或C5-C7环烷烃。

2.如权利要求1所述的一种烷氧基修饰的低碱型受阻胺类光稳定剂的制备方法，其特征在于，合成路线为：

其中R为C₁-C₆的直链烷基。

3.根据权利要求2所述的一种烷氧基修饰的低碱型受阻胺类光稳定剂的制备方法，其特征在于，由以下步骤组成：在1号催化剂的作用下，式1被30％H₂O₂溶液氧化得到式2，在2号催化剂的作用下，式2中的氮氧自由基被丙氧基取代得到式3，所述式1得到式2的反应温度为15-35℃，反应时间12-36h，式1与H₂O₂的投料比为1:1-1.5。

4.根据权利要求3所述的一种烷氧基修饰的低碱型受阻胺类光稳定剂的制备方法，其特征在于，所述式2得到式3时先加入乙醇、烷基醛、乙酸、2号催化剂，在反应温度为15-35℃的条件下反应时间6-12h，再加入H₂O₂溶液，在反应温度为15-35℃的条件下继续反应24h；所述式2:烷基醛:H₂O₂溶液的投料比为1:0.4-0.6:0.8-1.2。

5.根据权利要求3或4所述的一种烷氧基修饰的低碱型受阻胺类光稳定剂的制备方法，其特征在于，所述1号催化剂为硫酸亚锡、钨酸钠或钼酸钠，所述2号催化剂为氯化亚铁、氯化亚铜或氯化亚锡，所述2号催化剂占总投料量的0.5-2.0％。

6.根据权利要求1所述的一种烷氧基修饰的低碱型受阻胺类光稳定剂的制备方法，其特征在于，合成路线为：

其中R为C₅-C₇环烷烃。

7.根据权利要求6所述的一种烷氧基修饰的低碱型受阻胺类光稳定剂的制备方法，其特征在于，由以下步骤组成：在1号催化剂的作用下，式1被30％H₂O₂溶液氧化得到式2，在3号催化剂和4号催化剂的作用下，式2中的氮氧自由基被环己氧基取代得到式4，所述式1得到式2的反应温度为15-35℃，反应时间12-36h，式1与H₂O₂的投料比为1:1-1.5。

8.根据权利要求7所述的一种烷氧基修饰的低碱型受阻胺类光稳定剂的制备方法，其特征在于，所述式2得到式4时先加入乙腈、环烷烃、3号催化剂、水、乙酸、4号催化剂；在反应温度为60-80℃的条件下再滴加H₂O₂溶液2-4h，在反应温度为60-80℃的条件下继续反应6-12h，所述式2:环烷烃:H₂O₂溶液的投料比为1:6-10:2-4。

9.根据权利要求7或8所述的一种烷氧基修饰的低碱型受阻胺类光稳定剂的制备方法，其特征在于，所述1号催化剂为硫酸亚锡、钨酸钠或钼酸钠，所述3号催化剂为FeSO₄、CuSO₄、氯化亚铜，所述3号催化剂占总投料量的0.5-2.0％，所述4号催化剂为TBAB、TCMAC或PEG-400。

10.如权利要求1-9任一所述的低碱型受阻胺类光稳定剂的应用，其特征在于，用于以该光稳定剂为助剂获得高分子材料。