[发明专利]中红外单模激光器

权利要求书

1.一种中红外单模激光器，包括：

激光源，用于发出准直泵浦光；

增益模块，用于接收所述泵浦光并生成受激辐射光；所述增益模块，包括：

碳化硅散热片；

碟片晶体，位于所述碳化硅散热片表面；以及

铜热沉，包覆于所述碳化硅散热片及碟片晶体外，且留有通光孔；

反射镜，用于反射所述受激辐射光；

输出耦合镜，与所述碟片晶体以及反射镜成三角型排布，构成一个V型谐振腔，进而获得激光输出。

2.根据权利要求1所述的中红外单模激光器，所述V型谐振腔中还依次设置有双折射滤光片以及F-P标准具。

3.根据权利要求1所述的中红外单模激光器，所述激光源，包括：

半导体激光器泵浦源，用于发出泵浦光；以及

聚焦准直系统，用于将所述泵浦光准直后聚焦到聚焦反射镜上。

4.根据权利要求3所述的中红外单模激光器，通过控制聚焦反射镜3的角度，可以改变碟片晶体7上的泵浦光位置和形状。

5.根据权利要求1所述的中红外单模激光器，碟片晶体的尺寸为长宽为10mm的正方形或直径为10mm的圆形。

6.根据权利要求1所述的中红外单模激光器，所述V型谐振腔的腔长为32～200mm。

7.根据权利要求1所述的中红外单模激光器，所述碟片晶体厚度为500-1000μm。

8.根据权利要求1所述的中红外单模激光器，所述碟片晶体的下表面设置有对793nm和1940nm的反射率大于99.9％的光学高反膜。

9.根据权利要求1所述的中红外单模激光器，所述碟片晶体的上表面设置有对793nm和1940nm的反射率小于0.5％的光学增透膜。

10.根据权利要求1所述的中红外单模激光器，所述的双折射滤光片厚度为1-3mm，F-P标准具厚度为0.1-0.5mm。