[发明专利]用于测量半导体处理装置内的导电路径的电气性能的装置有效
申请号: | 202010088470.3 | 申请日: | 2017-04-20 |
公开(公告)号: | CN111624455B | 公开(公告)日: | 2023-04-04 |
发明(设计)人: | 马克·E·爱默生;史蒂文·T·迈尔;劳伦斯·奥索乌斯基 | 申请(专利权)人: | 朗姆研究公司 |
主分类号: | G01R31/26 | 分类号: | G01R31/26;C25D17/00;C25D17/06;C25D21/12 |
代理公司: | 上海胜康律师事务所 31263 | 代理人: | 李献忠;张华 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 测量 半导体 处理 装置 导电 路径 电气 性能 | ||
1.一种用于测量半导体处理装置内的导电路径的电气性能的装置,所述半导体处理装置被配置为在晶片上执行处理时将所述导电路径电连接到所述晶片的表面,所述装置包括:
盘形结构;
多个导电垫,其沿着所述盘形结构的第一侧的外周形成,其中所述多个导电垫彼此电隔离;
设置在所述盘形结构上的电力源,该电力源具有第一端子和第二端子,第一端子电连接到所述多个导电垫的第一子集,第二端子电连接到所述多个导电垫的第二子集;和
布置在所述盘形结构上的测量电路,其具有输入端子,该输入端子电连接到所述多个导电垫中的选定一个,该测量电路配置为基于在所述多个导电垫中的所述选定一个上出现的电信号来确定电参数值。
2.根据权利要求1所述的装置,其中,所述盘形结构的外形和外形尺寸分别基本上等于所述半导体处理装置在其上进行处理的晶片的外形和外形尺寸。
3.根据权利要求1所述的装置,其中,所述多个导电垫中的每一个延伸到所述盘形结构的外部径向边缘。
4.根据权利要求1所述的装置,还包括:
分别设置在所述多个导电垫中的相邻的导电垫之间的电隔离结构。
5.根据权利要求1所述的装置,其中,所述测量电路被配置为在所述多个导电垫中的所述选定一个处感测高电流和/或高电压。
6.根据权利要求1所述的装置,其中,所述测量电路被配置为在所述多个导电垫中的所述选定一个处感测低电流和/或低电压。
7.根据权利要求1所述的装置,其中所述电力源被配置为向所述电力源的第一端子供应电流和/或电压,并且其中所述电力源被配置为连接所述电力源的第二端子到参考地电位。
8.根据权利要求7所述的装置,还包括:
第一电流开关模块,其连接在所述电力源与所述多个导电垫的第一子集之间,该第一电流开关模块可控制以在给定时间将所述多个导电垫的第一子集的电连接切换到所述电力源的第一端子或所述电力源的第二端子;和
第二电流开关模块,其连接在所述电力源和所述多个导电垫的第二子集之间,该第二电流开关模块可控制以在给定时间将所述多个导电垫的第二子集的电连接切换到所述电力源的第一端子或所述电力源的第二端子。
9.根据权利要求8所述的装置,其中所述第一电流开关模块是第一集成电路开关装置,并且其中所述第二电流开关模块是第二集成电路开关装置。
10.根据权利要求8所述的装置,还包括:
设置在所述盘形结构上的控制模块,该控制模块被配置为引导所述电力源和所述测量电路以及第一电流开关模块和第二电流开关模块的操作。
11.根据权利要求1所述的装置,其中,所述测量电路的输入端子是所述测量电路的第一输入端子和所述测量电路的第二输入端子之一,所述测量电路被配置为感测在所述测量电路的第一输入端子处高电流和/或高电压,以及所述测量电路被配置为感测在所述测量电路的第二输入端子处的低电流和/或低电压。
12.根据权利要求11所述的装置,还包括:
测量开关模块,其连接在所述测量电路和所述多个导电垫中的所述选定一个之间,所述测量开关模块可控制以在给定时间将所述多个导电垫中的所述选定一个的电连接切换至所述测量电路的第一输入端子或所述第二输入端子。
13.根据权利要求12所述的装置,其中,所述测量开关模块包括集成电路开关装置。
14.根据权利要求12所述的装置,还包括:
控制模块,其设置在所述盘形结构上,该控制模块被配置为引导所述电力源和所述测量电路以及所述测量开关模块的操作。
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