[发明专利]一种LED芯片及其制作方法

权利要求书

1.一种LED芯片，其特征在于，包括：

衬底；

位于衬底第一侧表面的缓冲层；

位于所述缓冲层背离所述衬底一侧的N型氮化镓层；

位于所述N型氮化镓层背离所述缓冲层一侧的多量子阱发光层；

位于所述多量子阱发光层背离所述N型氮化镓层一侧的空穴注入层，所述空穴注入层包括层叠的AlInGaN层、含镁材料层和P型AlInGaN层，其中，所述含镁材料层用于提高所述AlInGaN层和所述P型AlInGaN层中镁的掺杂浓度。

2.根据权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述含镁材料层中镁的掺杂浓度取值范围为1E17cm^-3～1E22cm^-3，包括端点值。

3.根据权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述含镁材料层中还含有铟。

4.根据权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述AlInGaN层的厚度与所述P型AlInGaN层的厚度相同或不同。

5.根据权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述AlInGaN层的厚度取值范围为1nm～20nm，包括端点值，所述P型AlInGaN层的厚度取值范围为1nm～20nm，包括端点值；

或，所述AlInGaN层的厚度取值范围为1nm～15nm，包括端点值；所述P型AlInGaN层的厚度取值范围为5nm～25nm，包括端点值。

6.一种LED芯片的制作方法，其特征在于，包括：

在衬底第一侧表面形成缓冲层；

在所述缓冲层背离所述衬底一侧形成N型氮化镓层；

在所述N型氮化镓层背离所述缓冲层一侧形成多量子阱发光层；

在所述多量子阱发光层背离所述N型氮化镓层一侧形成空穴注入层，所述空穴注入层包括层叠的AlInGaN层、含镁材料层和P型AlInGaN层，其中，所述含镁材料层用于提高所述AlInGaN层和所述P型AlInGaN层中镁的掺杂浓度。

7.根据权利要求6所述的制作方法，其特征在于，在所述多量子阱发光层背离所述N型氮化镓层一侧形成空穴注入层包括：

在氢气和氮气氛围中，通入Al源、Ga源和In源以及反应气体氨气，在所述多量子阱发光层背离所述N型氮化镓层一侧生长AlInGaN层；

停止通入Ga源、Al源、In源和氢气，通入Mg源，并持续通入氨气和氮气，在所述AlInGaN层背离所述多量子阱发光层一侧生长含镁材料层；

通入Ga源、Al源、In源和氢气，并持续通入Mg源、氨气和氮气，在所述含镁材料层背离所述AlInGaN层一侧生长P型AlInGaN层。

8.根据权利要求7所述的制作方法，其特征在于，所述空穴注入层生长过程中Mg源为Cp₂Mg，所述Cp₂Mg的流量取值范围为500sccm～3000sccm，包括端点值。

9.根据权利要求6所述的制作方法，其特征在于，所述含镁材料层中还含有铟，在所述多量子阱发光层背离所述N型氮化镓层一侧形成空穴注入层包括：

在氢气和氮气氛围中，通入Al源、Ga源和In源以及反应气体氨气，在所述多量子阱发光层背离所述N型氮化镓层一侧生长AlInGaN层；

停止通入Ga源、Al源和氢气，通入Mg源，并持续通入In源、氨气和氮气，在所述AlInGaN层背离所述多量子阱发光层一侧生长含镁材料层；

通入Ga源、Al源和氢气，并持续通入Mg源、In源、氨气和氮气，在所述含镁材料层背离所述AlInGaN层一侧生长P型AlInGaN层。

10.根据权利要求9所述的制作方法，其特征在于，所述空穴注入层生长过程中Mg源为Cp₂Mg，所述Cp₂Mg的流量取值范围为200sccm～2000sccm，包括端点值。