[发明专利]单斜率模数转换器的比较器输出电路有效
申请号: | 202010088935.5 | 申请日: | 2020-02-12 |
公开(公告)号: | CN111565047B | 公开(公告)日: | 2021-08-31 |
发明(设计)人: | 海老原弘知 | 申请(专利权)人: | 豪威科技股份有限公司 |
主分类号: | H03M1/18 | 分类号: | H03M1/18 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 刘媛媛 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 斜率 转换器 比较 输出 电路 | ||
1.一种与比较器一起使用的输出电路,包括:
第一晶体管,其控制端子被耦合以接收来自所述比较器的第一级的输出信号,其中所述第一级被耦合以接收图像电荷电压信号和参考电压,并且作为响应提供所述输出信号;
第二晶体管,其耦合在所述第一晶体管和参考电压之间,其中所述第二晶体管具有被耦合以接收第一复位信号的控制端子,其中第二晶体管被耦合以在所述比较器的比较操作之前将在所述第一晶体管和所述第二晶体管之间的所述第一晶体管的第一输出节点预充电到所述参考电压;以及
输出级,其具有耦合到所述第一输出节点的输入节点,其中所述输出级被耦合以响应于所述第一输出节点在所述输出级的输出节点处生成所述输出电路的输出电压。
2.根据权利要求1所述的输出电路,还包括耦合在第一电源电压和所述第一晶体管之间的第三晶体管,其中所述第三晶体管具有被耦合以接收第一使能信号的控制端子,其中所述第三晶体管配置为在所述第一输出节点已经被预充电到所述参考电压之后并且在所述比较器的所述比较操作之前将所述第一晶体管耦合到所述第一电源电压。
3.根据权利要求2所述的输出电路,其中所述输出级包括耦合在第二电源电压和所述参考电压之间的反相器,其中所述第二电源电压小于所述第一电源电压,其中所述反相器被耦合以响应于所述第一输出节点生成所述输出电路的所述输出电压。
4.根据权利要求2所述的输出电路,其中所述输出级包括耦合在第二电源电压和所述参考电压之间的缓冲电路,其中所述第二电源电压小于所述第一电源电压,其中所述缓冲电路被耦合以响应于所述第一输出节点生成所述输出电路的所述输出电压。
5.根据权利要求1所述的输出电路,还包括耦合在所述输出级的所述第一输出节点和所述输入节点之间的二极管,其中所述二极管被耦合以在第一信号达到所述输出级的阈值电压时增加在所述输出级的所述输入节点处接收的所述第一信号的斜率。
6.根据权利要求5所述的输出电路,其中所述二极管包括二极管耦合的NMOS晶体管。
7.根据权利要求5所述的输出电路,还包括耦合在所述二极管的输出节点和所述参考电压之间的第四晶体管,其中所述第四晶体管具有被耦合以接收所述第一复位信号的控制端子,其中所述第四晶体管被耦合以在所述比较器的所述比较操作之前将所述二极管的所述输出节点预充电到所述参考电压。
8.根据权利要求5所述的输出电路,还包括耦合到所述输出级的所述输入节点的反馈级,其中所述反馈级被耦合为当所述第一信号达到所述输出级的所述阈值电压时,进一步增加在所述输出级的所述输入节点处接收的所述第一信号的所述斜率。
9.根据权利要求8所述的输出电路,其中所述反馈级包括:
第五晶体管,其耦合在所述输出级的所述输入节点和所述参考电压之间,其中所述第五晶体管具有耦合到所述二极管的所述输出节点的控制端子;以及
第六晶体管,其跨所述第一晶体管耦合,其中所述第六晶体管具有耦合到所述输出级的所述输入节点的控制端子,其中所述第六晶体管被耦合为响应于在所述输出级的所述输入节点处接收的所述第一信号而被使能,以在所述第一信号达到所述输出级的所述阈值电压时进一步增加在所述输出级的所述输入节点处接收的所述第一信号的所述斜率。
10.根据权利要求9所述的输出电路,还包括耦合在第一电源电压和所述输出级的所述输入节点之间的第七晶体管,其中所述第七晶体管具有被耦合以接收第二复位信号的控制端子,其中所述第七晶体管被耦合以在所述比较器的所述比较操作之前将所述输出级的所述输入节点预充电到所述第一电源电压。
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