[发明专利]形成具有烧结多层薄膜堆叠的太阳能电池的方法在审
申请号: | 202010089230.5 | 申请日: | 2016-11-24 |
公开(公告)号: | CN111276553A | 公开(公告)日: | 2020-06-12 |
发明(设计)人: | 布莱恩·E·哈丁;艾瑞克·索尔;迪埃·苏赛诺;杰西·J·欣李奇;黄钰淳;林于唐;史蒂芬·T·康纳;丹尼尔·J·赫尔布什;克雷格·H·彼得斯 | 申请(专利权)人: | 日立化成株式会社 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224;H01L31/05 |
代理公司: | 深圳鹰翅知识产权代理有限公司 44658 | 代理人: | 周婧;黃幸兒 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 形成 具有 烧结 多层 薄膜 堆叠 太阳能电池 方法 | ||
1.一种形成烧结多层堆叠的方法,该方法包括步骤:
a)在基层表面的至少一部分涂上湿金属粒子层;
b)干燥湿金属粒子层,以形成干燥金属粒子层;
c)在干燥金属粒子层的至少一部分直接涂上湿插层,以形成多层堆叠;
其中,湿插层包括:
包含10wt%至70wt%之间的贵金属粒子;
至少10wt%嵌入粒子;以及
有机载体;
其中,嵌入粒子包括从下组选择的一种或多种,包含低温基底金属粒子、晶体金属氧化物粒子和玻璃熔粒;
d)干燥多层堆叠;以及
e)联合烧制多层堆叠,以形成烧结多层堆叠。
2.如权利要求1所述的方法,其中,湿金属粒子层包括金属粒子,其包括从下组选择的材料,包含:铝、铜、铁、镍、钼、钨、钽、钛、钢,及其合金、合成物及其它组合。
3.如权利要求1所述的方法,进一步包括:在步骤a)之前,在基层表面的至少一部分上沉积至少一个介质层的步骤,且其中,步骤a)包括在介质层的至少一部分直接涂上湿金属粒子层。
4.如权利要求1所述的方法,其中,每个涂覆步骤包括从下组独立选择的方法,包括:丝网印刷、凹版印刷、喷射沉积、狭槽涂覆、3D打印和喷墨印刷。
5.如权利要求1所述的方法,其中,步骤a)包括,通过有图案的丝网进行丝网印刷,以产生具有可变厚度的湿金属粒子层。
6.如权利要求1所述的方法,其中,步骤b)和d)包括在低于500℃的温度下干燥1秒至90分钟。
7.如权利要求1所述的方法,其中,步骤b)和d)包括在150℃至300℃之间的温度下干燥1秒至60分钟。
8.如权利要求1所述的方法,其中,步骤e)包括在空气中迅速加热至大于600℃的温度,持续0.5秒至60分钟。
9.如权利要求1所述的方法,其中,步骤e)包括在空气中迅速加热至大于700℃的温度,持续0.5至3秒。
10.如权利要求1所述的方法,进一步包括:步骤f),在烧结多层堆叠的一部分上软焊标志带。
11.如权利要求1所述的方法,其中,低温基底金属粒子包括从下组选择的材料,包含:铋、锡、碲、锑、铅,及合金、合成物,及其其它组合。
12.如权利要求1所述的方法,其中,晶体金属氧化物粒子包括氧和从下组选择的金属,:铋、锡、碲、锑、铅、钒、铬、钼、硼、锰、钴,及合金、合成物,及其其它组合。
13.如权利要求1所述的方法,其中,玻璃熔粒包括从下组选择的材料,包含:锑、砷、钡、铋、硼、镉、钙、铈、铯、铬、钴、氟、镓、锗、铟、铪、碘、铁、镧、铅、锂、镁、锰、钼、铌、钾、铼、硒、硅、钠、锶、碲、锡、钒、锌、锆,其合金、其氧化物、其合成物,及其其它组合。
14.形成烧结多层堆叠的方法,该方法包括步骤:
a)在基层表面的至少一部分涂上湿金属粒子层;
b)干燥湿金属粒子层,以形成干燥金属粒子层;
c)烧制干燥的湿金属粒子层,以形成金属粒子层;
d)在金属粒子层的至少一部分直接涂上湿插层,以形成多层堆叠;
其中,湿插层包括:
10wt%至70wt%之间的贵金属粒子;
至少10wt%嵌入粒子;以及
有机载体;
其中,嵌入粒子包括从下组选择的一种或多种,包含低温基底金属粒子、晶体金属氧化物粒子和玻璃熔粒;
e)干燥多层堆叠;以及
f)烧制多层堆叠,以形成烧结多层堆叠。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于日立化成株式会社,未经日立化成株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202010089230.5/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的