[发明专利]一种异质片层结构中/高熵合金箔材的制备方法有效
申请号: | 202010089917.9 | 申请日: | 2020-02-13 |
公开(公告)号: | CN111360074B | 公开(公告)日: | 2021-08-17 |
发明(设计)人: | 喻海良;吴雨泽;崔晓辉 | 申请(专利权)人: | 中南大学 |
主分类号: | B21B1/40 | 分类号: | B21B1/40 |
代理公司: | 西安智大知识产权代理事务所 61215 | 代理人: | 段俊涛 |
地址: | 410083 *** | 国省代码: | 湖南;43 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 异质片层 结构 高熵合 金箔 制备 方法 | ||
1.一种异质片层结构中/高熵合金箔材的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:
第一步:采用CrCoNi系列中/高熵合金为原材料,并将其加工成薄片;
第二步:将加工后的原材料在750~850℃温度范围内进行均匀化处理,减少原料中的偏析行为;
第三步:将均匀化处理后的原材料放入液氮中进行浸泡,将其均匀冷却到液氮温度;
第四步:开启异步轧机,异速比控制在1.35-1.45之间,开启深冷喷枪,使轧辊温度被冷却到-100℃以下;
第五步:关闭深冷喷枪,取出深冷的原材料,进行深冷异步轧制,道次压下率控制在5-15%,其中深冷异步轧制采用干摩擦轧制,提高轧制过程剪切应变效率;
第六步:将轧制的材料放入液氮中进行冷却,将其均匀冷却到液氮温度;
第七步:重复第四步到第六步,直到总压下率达到80~95%得到中/高熵合金箔材;
第八步:利用铜箔将第七步得到的箔材包覆,放入加热炉中进行退火,退火温度为750~850℃,退火时间为20-40分钟;
第九步:将退火的材料取出进行空冷,即得异质片层结构中/高熵合金箔材。
2.根据权利要求1所述异质片层结构中/高熵合金箔材的制备方法,其特征在于,所述第一步中,原材料为圆柱形的棒材或立方体的块状材料。
3.根据权利要求1或2所述异质片层结构中/高熵合金箔材的制备方法,其特征在于,所述薄片的厚度为1.0~2.0mm,加工方法为线切割和锯的机加工方法,或为热轧、热锻压、热挤压的塑性成形方法,加工后的薄片材料具有良好的平整度,不存在大幅度浪纹。
4.根据权利要求1所述异质片层结构中/高熵合金箔材的制备方法,其特征在于,所述第五步中,当轧件出轧辊辊缝的时候,采用液压夹头,牵引轧件往前轧制,防止异步轧制过程中轧件打滑。
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