[发明专利]影像传感器结构及其制造方法在审
申请号: | 202010089928.7 | 申请日: | 2020-02-13 |
公开(公告)号: | CN113130517A | 公开(公告)日: | 2021-07-16 |
发明(设计)人: | 陈俊良;黄晋德;李世平 | 申请(专利权)人: | 力晶积成电子制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 陈小雯 |
地址: | 中国台湾新竹*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 影像 传感器 结构 及其 制造 方法 | ||
1.一种影像传感器结构,其特征在于,包括:
基底;
感光元件,位于所述基底中;
滤光结构,位于所述感光元件上方,且包括主滤光层与第一辅助滤光层;以及
隔离墙,围绕所述滤光结构的侧壁,其中所述滤光结构的折射率大于所述隔离墙的折射率。
2.如权利要求1所述的影像传感器结构,其中所述主滤光层包括彩色滤光层。
3.如权利要求1所述的影像传感器结构,其中所述滤光结构还包括:
第二辅助滤光层,其中所述主滤光层、第一辅助滤光层与所述第二辅助滤光层堆叠在所述基底上。
4.如权利要求3所述的影像传感器结构,其中所述第一辅助滤光层为红外线截止滤光层与紫外线截止滤光层中的一者,且所述第二辅助滤光层为所述红外线截止滤光层与所述紫外线截止滤光层中的另一者。
5.如权利要求1所述的影像传感器结构,其中所述隔离墙的材料包括氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、低介电常数材料或其组合。
6.如权利要求1所述的影像传感器结构,其中在所述隔离墙中具有孔洞。
7.如权利要求1所述的影像传感器结构,还包括:
隔离结构,位于所述基底中。
8.如权利要求7所述的影像传感器结构,其中所述隔离墙连接至所述隔离结构。
9.如权利要求7所述的影像传感器结构,其中所述基底的折射率大于所述隔离结构的折射率。
10.如权利要求7所述的影像传感器结构,其中所述隔离结构贯穿所述基底。
11.如权利要求1所述的影像传感器结构,还包括:
界面层,位于所述滤光结构与所述基底之间。
12.如权利要求1所述的影像传感器结构,还包括:
微透镜层,位于所述滤光结构上。
13.如权利要求1所述的影像传感器结构,其中所述影像传感器结构包括背照式影像传感器结构或前照式影像传感器结构。
14.一种影像传感器结构的制造方法,包括:
在基底中形成感光元件;
在所述感光元件上方形成滤光结构,其中所述滤光结构包括主滤光层与第一辅助滤光层;以及
形成围绕所述滤光结构的侧壁的隔离墙,其中所述滤光结构的折射率大于所述隔离墙的折射率。
15.如权利要求14所述的影像传感器结构的制造方法,其中所述滤光结构的形成方法包括:
在所述基底上形成滤光结构层,其中所述滤光结构层包括主滤光材料层与第一辅助滤光材料层;
在所述滤光结构层上形成图案化掩模层;以及
以所述图案化掩模层为掩模,移除部分所述滤光结构层,而形成所述滤光结构与环绕所述滤光结构的开口。
16.如权利要求15所述的影像传感器结构的制造方法,其中滤光结构层还包括:
第二辅助滤光材料层,其中所述主滤光材料层、所述第一辅助滤光材料层与所述第二辅助滤光材料层堆叠在所述基底上。
17.如权利要求15所述的影像传感器结构的制造方法,其中所述隔离墙封住所述开口。
18.如权利要求15所述的影像传感器结构的制造方法,其中所述隔离墙的形成方法包括:
形成填入所述开口的隔离材料层;以及
移除位于所述开口外部的所述隔离材料层。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的