[发明专利]半导体装置

说明书

本发明的半导体装置，包括：第1导电型的SiC层；选择性地形成在所述SiC层上的电极；以及形成在所述SiC层上、达到设定在所述SiC层的端部的切割区域的绝缘物，所述绝缘物包含配置在所述电极的下方的电极下绝缘膜及以覆盖该电极下绝缘膜的方式配置的有机绝缘层，所述有机绝缘层与所述SiC层相接的区间的距离（A）为40μm以上，所述电极下绝缘膜上的所述电极与所述SiC层的横向的距离（B）为40μm以上。

本申请是如下发明专利申请的分案申请：

申请号：201580025434.X；申请日：2015年5月15日；发明名称：半导体装置。

技术领域

本发明涉及SiC半导体装置。

背景技术

以往，为了在进行半导体装置的特性的试验时不致产生不良，完成了各种各样的提案。例如，专利文献1提出了在电特性的试验中不会在大气中引起放电的对策。具体而言，专利文献1公开了包含以下工序的半导体装置的制造方法，即，在半导体晶圆形成基极区域及发射极区域，在对基极电极、发射极电极进行构图后，在其表面粘附聚酰亚胺膜并进行构图，覆盖除切割区域及其他的电极接合（bonding）部以外的区域的工序。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开昭60－50937号公报

专利文献2：日本特开昭54－45570号公报

专利文献3：日本特开2011－243837号公报

专利文献4：日本特开2001－176876号公报

专利文献5：再公表特许WO2009/101668号公报。

发明内容

发明要解决的课题

不过，作为半导体装置的试验，开始采用高温高湿高电压试验。在该试验中，半导体装置例如在85℃、85％RH及施加960V的条件下连续曝露1000小时（约40日的时间）。以往，虽然施行了能个别地承受上述的温度、湿度及电压各自的条件的对策，但是尚不至于提出处理（clear）这三个条件全部的对策。

因此，本发明的一实施方式提供能防止在晶圆状态下实施的电特性试验中的放电，并且能够承受高温高湿高电压试验的SiC半导体装置。

用于解决课题的方案

本发明的一实施方式所涉及的半导体装置，包括：第1导电型的SiC层；选择性地形成在所述SiC层上的电极；以及形成在所述SiC层上、达到设定在所述SiC层的端部的切割区域的绝缘物，所述绝缘物包含配置在所述电极的下方的电极下绝缘膜及以覆盖该电极下绝缘膜的方式配置的有机绝缘层，所述有机绝缘层与所述SiC层相接的区间的距离（A）为40μm以上，所述电极下绝缘膜上的所述电极与所述SiC层的横向的距离（B）为40μm以上。

依据该结构，由于切割区域被绝缘物覆盖，所以在对晶圆状态的半导体装置的电特性进行试验时，能够减轻切割区域－电极之间的大气中施加的电压的负担。换言之，能够由大气及绝缘物分摊施加在切割区域－电极之间的电压，因此能够防止大气中的放电。