[发明专利]一种阵列基板的制作方法、阵列基板和显示面板有效
申请号: | 202010090661.3 | 申请日: | 2020-02-13 |
公开(公告)号: | CN111276524B | 公开(公告)日: | 2022-07-22 |
发明(设计)人: | 贾立;高涛 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
代理公司: | 北京风雅颂专利代理有限公司 11403 | 代理人: | 王刚 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 阵列 制作方法 显示 面板 | ||
1.一种阵列基板的制作方法,其特征在于,包括:
在衬底基板上形成源漏极层和隔离柱;在所述源漏极层上形成平坦层;
设置阳极材料,并对所述阳极材料进行构图工艺,形成阳极层以及包覆于所述隔离柱的保护层,在所述阳极层上形成像素界定层;所述设置阳极材料,包括:通过溅射成膜工艺,在所述平坦层和所述隔离柱上覆盖所述阳极材料;
通过构图工艺,去除所述保护层以露出所述隔离柱包括:涂布光刻胶,以覆盖所述像素界定层和所述保护层;通过曝光显影,去除所述保护层对应位置处的所述光刻胶,以露出所述保护层;通过湿刻法,去除所述保护层以露出所述隔离柱;
其中,所述隔离柱包括:从靠近所述衬底基板到远离所述衬底基板的方向依次设置的第一金属层、第二金属层和第三金属层;其中,所述第一金属层和第三金属层的材料均为钛;所述第二金属层的材料为铝。
2.根据权利要求1所述的阵列基板的制作方法,其特征在于,在形成隔离柱之前,还包括:
在衬底基板上,从靠近所述衬底基板到远离所述衬底基板的方向,依次形成聚酰亚胺层、隔离缓冲层、遮光层和层间介质层。
3.根据权利要求2所述的阵列基板的制作方法,其特征在于,所述形成隔离柱,包括:
在所述层间介质层上,形成所述源漏极层和所述隔离柱。
4.根据权利要求1所述的阵列基板的制作方法,其特征在于,所述去除所述保护层以露出所述隔离柱之后,还包括:
对所述第二金属层进行刻蚀,以使所述隔离柱呈工字型。
5.一种阵列基板,其特征在于,采用如权利要求1至4任意一项所述的阵列基板的制作方法制得。
6.一种显示面板,其特征在于,包括如权利要求5所述的阵列基板。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司,未经京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202010090661.3/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的